| 发明名称 | 阳极氧化方法和装置以及半导体衬底制造方法 | ||
| 摘要 | 制作了一种具有多层结构的多孔层。待加工的硅衬底(102)在被夹持于阳极氧化浴槽(101)中的阳极(106)和阴极(104)之间的情况下，在第一电解液(141，151)中被阳极氧化。用第二电解液(142，152)更换第一电解液(141，151)。硅衬底(102)再次被阳极氧化，从而在硅衬底(102)上制作具有多层结构的多孔层。 | ||
| 申请公布号 | CN1227405A | 申请公布日期 | 1999.09.01 |
| 申请号 | CN99102433.8 | 申请日期 | 1999.02.26 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 坂口清文;佐藤信彦 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/316;C25F3/30;C25F7/00;C25D17/00 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种在衬底上制作多孔层的阳极氧化方法，包含下列步骤：制备用来对衬底进行阳极氧化的阳极氧化浴槽；在将所述衬底夹持在所述阳极氧化浴槽中的阳极和阴极之间的情况下，在第一电解液中对待加工的所述衬底进行阳极氧化；用第二电解液替换第一电解液；以及在第二电解液中对所述衬底进行阳极氧化，从而在所述衬底上制作具有多层结构的多孔层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||