| 发明名称 |
COMPOSANT DE PROTECTION D'UN TRANSISTOR MOS INTEGRE CONTRE DES GRADIENTS DE TENSION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2764137(B1) |
申请公布日期 |
1999.08.13 |
| 申请号 |
FR19970006824 |
申请日期 |
1997.05.28 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
BARRET JEAN;PAVLIN ANTOINE;FICHERA PIETRO |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H03K17/08;H01L23/62 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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