一种液相二氧化矽膜(LPD–SiO)量产沈积技术

摘要

因为液相二氧化矽膜(LPD-SiO2)沉积技术具有低成本、低成长温度、与选择性成长等优点 ，因此在积体电路(IC)制程中具有相当的潜力。在今日IC制程中必然之趋势是朝向大尺寸晶圆、大面积量产前进，本发明系发展出〝垂直放置〞、〝两片背对背放置〞、〝适当短距之晶片间距〞量产成长系统，成功的在20片五寸矽晶圆上成长液相二氧化矽膜。厚度的均匀度在2.2％～4.7％之间，非常符合工业上量产规格之要求，使液相二氧化矽膜沉积技术有更广泛的应用。

主权项

1.一种液相二氧化矽膜(LPD-SiO2)量产沉积技术之晶片制造方法,其包含〝垂直放置〞、〝两片背对背放置〞、〝适当短距之晶片间距〞量产成长系统。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其使用之容器为铁氟龙材料。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其使用之溶液为六氟矽酸(Hydrofluosilicic Acid, H2SiF6)水溶液中,加入硼酸,使水溶液含有过饱和之二氧化矽,其使用之成长温度约40℃。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其使用之垂直放置系垂直放置在有凹槽之铁氟龙船(boat)上。5.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其使用之两片背对背放置系两片矽晶圆紧贴着。6.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其使用之适当短距之晶片间距为0.9cm。图式简单说明:第一图 液相二氧化矽膜量产沉积技术流程。第二图 单片5寸晶圆垂直放置之示意图第三图 四片5寸晶圆垂直放置之示意图第四图 第三图中四片5寸晶圆厚度与相对折射率之结果。第五图 单片与四片5寸晶圆垂直放置之等温线分布示意图,及两片5寸晶圆背对背垂直放置之等温线分布示意图第六图 二十片5寸矽晶圆之放置情形