| 发明名称 |
FABRICATION METHOD OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR100211767(B1) |
申请公布日期 |
1999.08.02 |
| 申请号 |
KR19960058603 |
申请日期 |
1996.11.27 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
KIM, JANG-RAE |
| 分类号 |
H01L27/112;(IPC1-7):H01L27/112 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
