| 主权项 |
1.一种金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,系包含下列步骤:(a)按照习知前制程技术,于半导体基板上形成字元线、位元线和电晶体等结构;(b)形成一层介电层于整个半导体基板表面;(c)将唯读记忆体区域内之介电层稍微变薄;(d)连续形成金属层和第一保护层于所述介电层的表面;(e)进行离子布植,将唯读记忆体之程式码植入半导体基板内;以及(f)进行快速热退火,以活化离子。2.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,于步骤(f)之后,更包括形成第二保护层的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述介电层是硼磷搀杂玻璃(BPSG)。4.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述较薄的介电层,其厚度系介于2000到4000埃之间。5.如申请专利范围第4项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述较薄的介电层,系利用步骤(e)离子布植相同之光罩定义之。6.如申请专利范围第4项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述较薄的介电层,系利用一光罩单独定义出唯读记忆体区域达成。7.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述较薄的介电层,系以湿蚀刻方式达成。8.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述较薄的介电层,系以乾蚀刻方式达成。9.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述金属层的材料是耐高温的钨(W)金属。10.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述第一介电层材料是选自二氧化矽(SiO2)和氮化矽之一。11.如申请专利范围第10项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述第一介电层的厚度系介于1000到3000埃之间。12.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述离子布植系植入硼(B11)离子。13.如申请专利范围第12项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述离子布植的能量系介于320到360KeV之间。14.如申请专利范围第1项所述之金属制程后植入罩幕式唯读记忆体程式码的方法,其中所述快热退火(RTA)步骤,系在温度范围850到925℃之间进行约1分钟。图式简单说明:第一图为习知技艺罩幕式唯读记忆体(Mask ROM)的电路示意图。第二图为本发明实施例于形成介电层后之剖面图。第三图为本发明实施例将罩幕式唯读记忆体区域内的介电层厚度变薄后之剖面图。第四图为本发明实施例于形成导电层和保护层后之剖面图。第五图为本发明实施例将罩幕式唯读记忆体区域内的程式码植入后之剖面图。 |
