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1.一种步进分析方法,用以在对一具有光阻涂盖的晶圆表面进行曝光时,作为分析一十字线光罩的步进过程的方法;该步进分析方法包括:产生一十字线光罩,包括:一第一及第二边角光罩,用以遮蔽在该晶圆表面上的一第一四方形区,一第三边角光罩,用以遮蔽在该晶圆表面上的一第二四方形区,其中该第一四方形区大于该第二四方形区,以及一第四边角光罩,用以使得一第三四方形区曝光,其中该第三四方形区小于该第二四方形区;以及使用一测量装置,根据该十字线光罩上重叠曝光的边角,产生在该晶圆表面上进行十字线光罩步进时的复数个对准调整値。2.如申请专利范围第1项所述之步进分析方法,其中该些对准调整値包括该第三及第四边角光罩重叠后之中心之间的差値。3.如申请专利范围第2项所述之步进分析方法,其中该些对准调整値系藉由一x与y値以及一转动値所决定。4.一种十字线光罩,用以根据该十字线光罩在一晶圆表面的曝光及显影结果,进行步进分析;该十字线光罩包括:一第一及第二边角光罩,用以遮蔽在该晶圆表面上的一第一四方形区;一第三边角光罩,用以遮蔽在该晶圆表面上的一第二四方形区,其中该第一四方形区大于该第二四方形区;以及一第四边角光罩,用以使得一第三四方形区曝光,其中该第三四方形区小于该第二四方形区。5.一种步进分析系统,用以在对一具有光阻涂盖的晶圆表面进行曝光时,分析一十字线光罩的步进过程;该步进分析系统包括:一十字线光罩,包括:一第一及第二边角光罩,用以遮蔽在该晶圆表面上的一第一四方形区,一第三边角光罩,用以遮蔽在该晶圆表面上的一第二四方形区,其中该第一四方形区大于该第二四方形区,以及一第四边角光罩,用以使得一第三四方形区曝光,其中该第三四方形区小于该第二四方形区;以及一测量装置,根据该十字线光阻上重叠曝光的边角,产生在该晶圆表面上进行十字线光罩步进时的复数个对准调整値。6.如申请专利范围第5项所述之步进分析系统,其中该些对准调整値包括一x与y値以及一转动値。7.如申请专利范围第6项所述之步进分析系统,其中该些对准调整値系由该第三及第四边角光罩重叠后之中心之间的差値所决定。图式简单说明:第一图系显示根据本发明所形成之十字线光罩。第二图系显示第一图中的十字线光罩之步进步骤。第三图A-第三图D系显示第一图中之十字线光罩的边角光罩。第四图系显示第三图A-第三图D中之边角光罩的曝光结果。第五图与第六图系显示一边角光罩曝光结果之分析图。 |
