| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen SOI-MOSFET mit einer auf einem Halbleiterkörper (1) vorgesehenen Isolatorschicht (2) und in bzw. auf der Isolatorschicht (2) eingebetteten Silizium-Inseln (3). Eine Grabenzone (11) verbindet die jeweiligen Silizium-Inseln (3) mit einer unterhalb der Grabenzone (11) gelegenen hochdotierten Zone (13, 18) im Halbleiterkörper (1) oder in der Isolatorschicht (2), um so durch Ausdiffusion aus der hochdotierten Zone die Dotierungskonzentration einer Kanalzone (12) in der Silizium-Insel (3) genau einzustellen.</p> |
