| 发明名称 |
CMOS polycide dual gate structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2332984(A) |
申请公布日期 |
1999.07.07 |
| 申请号 |
GB19980028854 |
申请日期 |
1998.12.31 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
KYU-CHUL * CHONG;HEON-JONG * SHIN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/823;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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