发明名称 METHOD OF FORMING MEMORY CELL OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR100196594(B1) 申请公布日期 1999.06.15
申请号 KR19950040573 申请日期 1995.11.10
申请人 NEC CORPORATION 发明人 KOYAMA, KENICHI
分类号 H01L21/8247;H01L21/265;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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