| 发明名称 |
강유전성 영속 가변소자 |
| 摘要 |
개선된 영구 가변저항소자가 개시된다. 그 저항소자는 강유전성층의 분극상태에 의해 결정되는 저항률을 갖는 반도체에 기초한다. |
| 申请公布号 |
KR100194915(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.15 |
| 申请号 |
KR19927000901 |
申请日期 |
1992.04.18 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
조오지프 테이트 에반스 쥬니어;제프 알렌 버링톤 |
| 分类号 |
H01L21/8247;G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
