PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE EN SILICIUM A GRAINS HEMISPHERIQUES

摘要

Dans un procédé pour fabriquer une structure en silicium à grains hémisphériques (28) à titre d'électrode inférieure d'un condensateur dans un circuit intégré, on forme une couche de silicium polycristallin (26) à titre de germe pour la nucléation, au lieu d'une couche de silicium amorphe. On forme sélectivement la structure en silicium à grains hémisphériques (28), en utilisant le dépôt chimique en phase vapeur dans une condition telle que cette structure se forme de façon préférentielle sur le silicium polycristallin, plutôt que sur une couche d'oxyde de silicium (24) recouvrant un substrat (20).