| 主权项 |
1.一种可调整应力之绝缘膜形成方法,其特征在于 具有拉 伸应力之一绝缘膜和具有压缩应力之一绝缘膜是 交替沉积 于一基板上,以形成包括该积层绝缘膜的该可调整 应力之 绝缘膜。2.如申请专利范围第1项所述之可调整应 力之绝缘膜形成 方法,其中在该整体可调整应力之绝缘膜中的应力 为依据 以下而调整在整体可调整应力之绝缘膜中的应力 其中ti是 该可调整应力之绝缘膜之第i层绝缘膜之厚度,且 i是该 可调整应力之绝缘膜之第i层绝缘膜中之应力(拉 伸应力为 正値,而压缩应力为负値)。3.如申请专利范围第2 项所述之可调整应力之绝缘膜形成 方法,其中在整体可调整应力之绝缘膜中的该应力 (T) 为小于+3105dyne/cm2之拉伸应力或压缩应力。4.如申 请专利范围第1项所述之可调整应力之绝缘膜形成 方法,其中该绝缘膜为氧化矽膜或包括至少磷和硼 之任何 一者的一含矽绝缘膜。5.如申请专利范围第1项所 述之可调整应力之绝缘膜形成 方法,其中该具有拉伸应力之绝缘膜是以加热方式 、藉由 反应包括有机矽烷和含氧气体之一气体混合物而 得以沉积 的。6.如申请专利范围第5项所述之可调整应力之 绝缘膜形成 方法,其中该气体混合物更包括含气体之杂质。7. 如申请专利范围第5项所述之可调整应力之绝缘膜 形成 方法,其中该具有拉伸应力之绝缘膜在形成之后, 施以电 浆照射。8.如申请专利范围第5项所述之可调整应 力之绝缘膜形成 方法,其中该有机矽烷为择自烷基矽烷或烯丙基矽 烷(通 式:RnSiH4-n(n=1至4)),烷氧基矽烷(通式:(RO)nSiH4 -n(n=1至4)),链矽氧烷(通式:RnH3-nSiO(RkH2-kSiO) mSiH3-nRn(n=1至3;k=0至2;m≧0)),链矽氧烷之衍生 物(通式:(RO)nH3-nSiOSiH3-n(OR)n(n=1至3)),以及环 矽氧烷(通式:(RkH2-kSiO)m(k=1,2;m≧2))(其中R为 烷基、烯丙基、或其衍生物)所组成之族群中。9. 如申请专利范围第5项所述之可调整应力之绝缘膜 形成 方法,其中该含氧气体为择自臭氧(O3)、氧(O2)、N2O 、 NO2.CO、CO2.以及H2O所组成之族群中。10.如申请专利 范围第5项所述之可调整应力之绝缘膜形成 方法,其中用来调整个别绝缘膜之应力性质的个别 绝缘膜 之成膜条件是至少择自由成膜温度、气体类型、 和气体流 速所组成之族群中之一者。11.如申请专利范围第1 项所述之可调整应力之绝缘膜形成 方法,其中该具有压缩应力之绝缘膜是以电浆化方 式、藉 由反应包括有机矽烷和含氧气体之一气体混合物 而得以沉 积的。12.如申请专利范围第11项所述之可调整应 力之绝缘膜形 成方法,其中该有机矽烷为择自烷基矽烷或烯丙基 矽烷( 通式:RnSiH4-n(n=1至4)),烷氧基矽烷(通式:(RO) nSiH4-n(n=1至4)),链矽氧烷(通式:RnH3-nSiO(RkH2- kSiO)mSiH3-nRn(n=1至3;k=0至2;m≧0)),链矽氧烷 之衍生物(通式:(RO)nH3-nSiOSiH3-n(OR)n(n=1至3)), 以及环矽氧烷(通式:(RkH2-kSiO)m(k=1,2;m≧2))(其 中R为烷基、烯丙基、或其衍生物)所组成之族群 中。13.如申请专利范围第11项所述之可调整应力 之绝缘膜形 成方法,其中该含氧气体为择自臭氧(O3)、氧(O2)、N 2O 、NO2.CO、CO2.以及H2O所组成之族群中。14.如申请专 利范围第11项所述之可调整应力之绝缘膜形 成方法,其中用来调整个别绝缘膜之应力性质的个 别绝缘 膜之成膜条件是至少择自由电浆产生电力之频率 、施加于 该基板之偏压电力、成膜温度、气体类型、和气 体流速所 组成之族群中之一者。15.一种半导体装置之制造 方法,其特征在于具有拉伸应 力之一绝缘膜和具有压缩应力之一绝缘膜是交替 沉积以覆 盖在一基板上之一内连接线层之上,以形成一可调 整应力 之绝缘膜。16.如申请专利范围第15项所述之半导 体装置之制造方法 ,其中该内连接线层之材料为铝。17.一种半导体装 置,其系依据如申请专利范围第15项所 述之半导体装置之制造方法所制得的。18.一种半 导体装置之制造方法,其包括下列步骤:(a)在 一基板上形成一内连接线层;(b)形成一可调整应力 之绝 缘膜,其中具有拉伸应力之一绝缘膜和具有压缩应 力之一 绝缘膜是交替积层以覆盖在该基板上之该内连接 线层之上 ;以及(c)重覆该步骤(a)及(b)以交替积层内连接线层 和 可调整应力之绝缘膜。19.如申请专利范围第18项 所述之半导体装置之制造方法 ,其中该内连接线层之材料为铝。20.一种半导体装 置,其系依据如申请专利范围第18项所 述之半导体装置之制造方法所制得的。图式简单 说明:第 一图A-第一图D为显示习知之由层间绝缘膜所积层 之构造 的截面图;第二图A-第二图B为显示依据习知技术由 积层 构造所引起之问题的截面图;第三图A至第三图F为 显示依 据本发明第1实施例之层间绝缘膜形成方法的截面 图;第 四图A和第四图B为显示以依据本发明第1实施例之 层间绝 缘膜形成方法,所形成之整体层间绝缘膜之多层堆 叠所引 起之应力变化之特性图;第五图A和第五图B为显示 以依据 本发明第1实施例之层间绝缘膜形成方法,所形成 之整体 层间绝缘膜之多层堆叠所引起之应力变化及裂痕 产生之特 性图;第六图为显示以依据本发明第1实施例之层 间绝缘 膜形成方法,在吸湿前后,所形成之整体层间绝缘 膜之多 层堆叠所引起之应力变化之特性图;第七图A至第 七图E为 显示依据本发明第1实施例之电浆CVD法,随着各种 成膜条 件而变化的应力调整之特性图;第八图A至第八图C 为显示 依据本发明第1实施例之热CVD法,随着各种成膜条 件而变 化的应力调整之特性图;第九图A至第九图C为显示 依据本 发明第2实施例,由层间绝缘膜所积层之构造的截 面图; 第十图A为显示依据本发明第3实施例之一半导体 装置及其 制造方法的截面图;以及第十图B为在第十图A中之 积层绝 缘膜所产生的累积积层厚度和累积应力之实测値 和计算値 之间的关系之特性图。 |
