动态随机存取存储器单元装置及其制造方法

摘要

DRAM单元装置中的每个存储单元包含三个晶体管,在这些晶体管中至少有一个为垂直晶体管结构。这些晶体管可形成在第一沟槽和第二沟槽的侧壁上,其中,写字线沿第一沟槽的第一侧壁伸展,读字线沿第二沟槽的第一侧壁伸展并且位线(B)在字线的上方并垂直于该字线伸展,并且第三个第一源/漏区(3S/D1)和第一个第二源/漏区(1S/D2)以及第三个第二源/漏区(3S/D2)和第二个第二源/漏区(2S/D2)重叠。

主权项

1．DRAM单元装置，--具有存储单元，这些单元各包含一个第一晶体管、一个第二晶体管和一个第三晶体管，--其中，第一晶体管的栅电极(Ga1)与第二晶体管的第一源/漏区(2S/D1)相连，--其中，第二晶体管的第二源/漏区(2S/D2)与一个写位线(B)相连，--其中，第二晶体管的栅电极(Ga2)与一个写字线(WS)相连，--其中，第三晶体管的栅电极(Ga3)与一个读出字线(WA)相连，--其中，第一晶体管的第二源/漏区(1S/D2)与第三晶体管的第一源/漏区(3S/D1)相连，--其中，第三晶体管的第二源/漏区(3S/D2)与一读位线(B)相连，其特征在于，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管是垂直的MOS晶体管。