用于制造半导体元件之制程室

摘要

系在制程室壁和屏蔽之间设置加热套或在制程室内部设置灯，并设置可令制程室壁和屏蔽受到该加热套或灯之加热且维持在预定温度而予以控制之温度控制装置，俾防止于制程等待和制程进行时制程内温度差异所引起颗粒之发生。以提高产率，且于开放制程室时，能使残留气体之排气作用加速化而予以构成，俾缩短到达基础真空所需时间者。根据本发明，即可在对以往之晶圆藉溅射制程形成金属层之制程及乾式蚀刻制程所使用之制程室，消除制程之进行与等待时之制程室壁和屏蔽间之温度差。

主权项

1.一种用于制造半导体元件之制程室,系由在制程室内部底面之中央部分以竖立设置有具有预定高度之基座,及在该制程室内侧顶部设置有圆顶型屏蔽之构造所成溅射制程用之制程室,其特征为包括:一加热套,设置在该屏蔽外侧面和制程室壁之间,以加热该屏蔽及制程室;以及一温度控制装置,以设置在该制程室外侧预定位置之状态下控制由加热套所加热之制程室壁及屏蔽经常在预定温度下维持成一定。2.如申请专利范围第1项之用于制造半导体元件之制程室,其中该溅射方式为RF溅射蚀刻。3.一种用于制造半导体元件之制程室,系由在制程室内部底面之中央部分以竖立设置有具有预定高度之基座,及在该制程室内侧顶部设置有圆顶型屏蔽之构造所成溅射制程用之制程室,其特征为包括:一灯,设置在该制程室内部之预定位置,俾以幅射热加热该制程室壁和屏蔽;以及一温度控制装置,以设置在该制程室外侧预定位置之状态下控制由该灯所加热之制程室壁及屏蔽经常在预定温度下维持成一定。4.如申请专利范围第3项之用于制造半导体元件之制程室,其中该灯系使卤灯。5.一种用于制造半导体元件之制程室,系由在制程室内部底面之中央部分以竖立设置有具有预定高度之基座,及在该制程内侧顶部设置有圆顶型屏蔽之构造所成乾蚀刻制程用之制程室,其特征为包括:一加热套,设置在该屏蔽外侧面和制程室壁之间,以加热该屏蔽及制程室;以及一温度控制装置,以设置在该制程室外侧预定位置之状态下控制由加热套所加热之制程室壁及屏蔽经常在预定温度下维持成一定。6.一种用于制造半导体元件之制程室,系由在制程室内部底面之中央部分以竖立设置有具有预定高度之基座,及在该制程室内侧顶部设置有圆顶型屏蔽之构造所成乾蚀刻制程用之制程室,其特征为包括:一灯,设置在该制程室内部之预定位置,俾以辐射热加热该制程室壁和屏蔽;以及一温度控制装置,以设置在该制程室外侧预定位置之状态下控制由该灯所加热之制程室壁及屏蔽经常在预定温度下维持成一定。7.如申请专利范围第6项之用于制造半导体元件之制程室,其中该灯系使用卤灯。8.如申请专利范围第5或6项之用于制造半导体元件之制程室,其中该制程室系使用在氧化膜蚀刻制程。图式简单说明:第一图A为表示根据本发明实施例1之用于制造半导体元件之制程室内部构造断面图。第一图B为表示根据本发明实施例2之用于制造半导体元件之制程室内部构造断面图。第二图为表示以往之用于溅射制程或乾蚀刻制程之制程室内部构造断面图。