发明名称 NOVEL CELL TOPOLOGY FOR POWER TRANSISTORS WITH INCREASED PACKING DENSITY
摘要 A vertical MOSFET having a parallelogram shaped drain (204).
申请公布号 WO9904435(A1) 申请公布日期 1999.01.28
申请号 WO1998US13150 申请日期 1998.06.26
申请人 MAGEPOWER SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 HSHIEH, FWU-IUAN;NIM, DANNY, CHI
分类号 H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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