半导体器件的电容器的形成方法

摘要

本发明关于一种形成半导体器件的电容器的方法,其特别处理了下部的电荷储存电极的表面,以便改善在使用具有特定介电常数作为介质膜的Ta₂O₅膜电容器中,以PECVD方法沉积Ta₂O₅膜的不佳的梯级覆盖,并根据使用梯级覆盖优良的LPCVD方法,来沉积Ta₂O₅膜,以改善电容器的电特性,防止漏电流产生,而且根据结果,它改善了半导体器件的特性和可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的电容器的形成方法，其包括的步骤有：提供一半导体基板；在该半导体基板的顶端形成一电荷储存电极；氮化该电荷储存电极的整个表面；等离子处理并氧化已氮化的电荷储存电极的表面；以LPCVD方法，在该电荷储存电极的表面上沉积Ta2O5膜，并等离子处理Ta2O5膜，其中沉积和等离子处理Ta2O5膜的过程，如果没有多次，至少进行一次；热处理该Ta2O5膜；以及在该整个表面的顶端形成一平板电极。