| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一形成不完全埋入上述接续孔及配线沟之内部,且至少在上述接续孔内部的被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。2.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成第一绝缘膜之过程;一在上述第一绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔之过程;一在上述接续孔内部形成被置换膜之过程;一在全面上形成第二绝缘膜之过程;一在上述第二绝缘膜中形成接续于上述被置换膜的配线沟之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。3.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔之过程;一至少在上述接续孔内部形成被置换膜之过程;一在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中系在全面上以CVD法形成自上述接续孔溢出厚度之被置换膜后,利用CVD回蚀法、RIE回蚀法、CMP法、或自此等方法所选出之至少二种方法,令上述被置换膜后退,而在上述接续孔之内部令上述被置换膜选择性残置者。5.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中该导电膜至少在一部分具有含结晶缺陷或稀有气体之区域者。6.一种半导体装置,具备:具有被接续体之半导体基板;形成于该半导体基板上,表面经平坦化之绝缘膜;形成于该绝缘膜中,分别形成于接续于上述被接续体之接续孔及配线沟的内部之接续体及配线;及分别设于上述接续孔之侧壁与上述接续体间、上述配线沟之侧面与上述配线间、及上述配线沟之底面与上述配线间之障壁膜者。7.一种半导体装置,具备:具有被接续体之半导体基板;形成于该半导体基板上,表面经平坦化之绝缘膜;形成于该绝缘膜中,分别形成于接续于上述被接续体之接续孔及配线沟的内部之接续体及配线;及分别设于上述接续孔之侧壁及底面与上述接续体间、及上述配线沟之侧面及底面与上述配线间之障壁膜者。8.一种半导体装置,具备:具有被接续体之半导体基板;形成于该半导体基板上,表面经平坦化之绝缘膜;形成于该绝缘膜中,分别形成于接续于上述被接续体之接续孔及配线沟的内部之接续体及配线;及分别设于上述接续孔之侧壁及底面与上述接续体间之障壁膜者。9.一种半导体装置,具备:具有被接续体之半导体基板;形成于该半导体基板上,表面经平坦化之绝缘膜;形成于该绝缘膜中,分别形成于接续于上述被接续体之接续孔及配线沟的内部之接续体及配线;及分别设于上述配线沟之侧壁及底面与上述配线间之障壁膜者。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该接续孔及上述配线沟以外之区域的上述绝缘膜之表面上,设有CMP停止层或绝缘性障壁膜者。11.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该配线之表面,设有障壁膜者。12.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该被接续体、配线及接续体之材料系相同者。13.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该被接续体、配线及接续体之材料,系Al或Al合金,或是Cu或Cu合金者。14.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该被接续体、配线及接续体之材料,系Al或Al合金,或是Cu或Cu合金;上述障壁膜之材料,系高熔点金属或高熔点金属化合物者。15.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一以CVD法形成被覆上述接续孔及配线沟之内面,且厚度不充填上述接续孔及配线沟内部的被置换膜之过程;一在上述接续孔及配线沟之内部,大致充填导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟以上述导电膜完全充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中该藉由利用漫流法、非选择CVD法、选择CVD法、或镀敷法,在上述接续孔及配线沟之内部,大致充填导电膜者。17.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一形成至少在上述接续孔及配线沟内部的被置换膜之过程;一将上述被置换膜表面之自然氧化物及杂质之至少一者除去之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中系将上述自然氧化物及杂质之至少一者,以湿式蚀刻法、物理蚀刻或化学蚀刻法、或在以湿式蚀刻法除去后再将上述被置换膜之表面以氢终端之方法除去者。19.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中在真空中将上述自然氧化物及杂质之至少一者以物理蚀刻法或化学蚀刻法除去后,至形成上述导电膜为止,系保持真空者。20.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一形成充填于上述接续孔及配线沟之内部,且自上述接续孔及上述配线沟溢出的被置换膜之过程;一将上述被置换膜在真空中以至少残留于上述接续孔及配线沟之内部的方式,以RIE回蚀法或CDE回蚀法除去之过程;一在保持真空之状态下,在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。21.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一至少于上述接续孔及配线沟之内部形成置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上形成导电膜,在上述导电膜形成中,进行加热以藉由该导电膜与被置换膜之反应而分解该被置换膜表面的自然氧化膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。22.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述半导体基板上形成被覆上述被接续体的绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一将露出于上述接续孔之底面的上述被接续体表面之自然氧化膜及杂质之至少一者予以除去之过程;一至少在上述接续孔之内部形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。23.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中在真空中将上述自然氧化膜及杂质之至少一者以物理蚀刻法、或作为蚀刻种采用卤素气体之化学蚀刻法除去后,至形成上述被置换膜为止,系保持真空者。24.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该自然氧化膜及杂质之至少一者系以利用还原性物质之还原反应除去者。25.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:作为上述被置换膜,系形成表面具有凹凸部者,以使与上述吸收体之接触面积增大者。26.如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法,其中系藉由将上述导电膜在一面加热下形成,以在上述导电膜之表面形成凹凸部者。27.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:形成上述导电膜,并以热处理在上述导电膜中扩散混合上述被置换膜元素后,形成上述吸收体,并以热处理将上述导电膜中之被置换膜元素吸收于上述吸收体者。28.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:在形成上述导电膜后,形成上述吸收体,并以热处理将上述导电膜中之被置换膜元素吸收于上述吸收体者。29.如申请专利范围第28项之半导体装置之制造方法,其中该热处理后,将上述导电膜中之被置换膜元素吸收于上述吸收体之热处理,系至少进行一次者。30.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一至少在上述接续孔及配线沟之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成内部包含复数个吸收体的导电膜之过程;一藉由以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。31.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔之过程;一在上述接续孔之内部,形成被置换膜之过程;一形成在上述接续孔内部以外之区域上,内部包含复数个吸收体的导电膜之过程;一藉由以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,在上述接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体之过程。32.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一至少在上述绝缘膜中所形成之深度达于上述被接续体之接续孔及配线沟内部,形成被置换膜之过程;一形成在上述接续孔内部及上述配线沟内部以外之区域上,且包含导电膜底部之复数个吸收体的导电膜之过程;一藉由以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。33.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜上形成吸收膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔及配线沟,同时将上述吸收膜加工,形成复数个吸收体之过程;一至少在上述接续孔及配线沟之内部,形成被置换膜之过程;一在包括上述接续孔、配线沟及复数个吸收体之区域中,形成导电膜之过程;一藉由以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。34.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一至少在上述接续孔及配线沟之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,依序形成内部不含吸收体之导电膜及内部含复数个吸收体之导电膜之过程;一藉由以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。35.如申请专利范围第34项之半导体装置之制造方法,其中系以同一层内存在复数个吸收体之方式,形成上述导电膜者。36.如申请专利范围第34项之半导体装置之制造方法,其中系以同一层内存在有于所期望位置之复数个吸收体,且上下层存在有于所期望位置之复数个吸收体之方式,形成上述导电膜者。37.如申请专利范围第34项之半导体装置之制造方法,其中系以同一层内存在有于所期望位置之复数个吸收体,且上下层内存在有形成位置于平面上偏错之复数个吸收体之方式,形成上述导电膜者。38.如申请专利范围第34项之半导体装置之制造方法,其中该导电膜中之复数个吸收体,系吸收体之膜与导电膜之膜的层合膜者。39.如申请专利范围第34项之半导体装置之制造方法,其中存在于下方之上述被置换膜的量相对上多之部分的上述导电膜中之复数个吸收体的量,系较存在于下方之上述被置换膜的量相对上少之部分的上述导电膜中之复数个吸收体的量为多者。40.如申请专利范围第34项之半导体装置之制造方法,其中该内部含有复数个吸收体之导电膜,系该导电膜之构成材料与上述吸收体之构成材料的混合膜者。41.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:藉由以不同之温度进行至少二次以上之热处理,而将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体者。42.如申请专利范围第41项之半导体装置之制造方法,其中该二次以上之热处理中,最后之热处理系温度最低者。43.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:藉由热处理,而将上述被置换膜以上述导电膜置换,并在将上述被置换膜吸收于上述吸收体而生成生成物后,将上述导电膜退火者。44.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:以制造方法包括:一藉由将形成于接续孔及配线沟至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将上述被置换膜吸收于第一吸收体而生成第一生成物,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;一将上述第一生成物,以及上述接续孔及配线沟之外部的上述导电膜除去之过程;一在残留之上述导电膜上形成第二吸收体之过程;一以热处理将上述导电膜中残留之上述被置换膜吸收于上述第二吸收体,而生成第二生成物之过程;及一将上述第二吸收体及上述第二生成物除去之过程。45.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物之置换膜吸收处理,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:在上述置换吸收处理中或上述置换吸收处理后,在上述导电膜内添加与该导电膜、上述被置换膜及上述吸收体之构成材料不同之元素者。46.如申请专利范围第45项之半导体装置之制造方法,其中该元素系令置换吸收处理后之上述导电膜内的上述被置换膜之构成材料的固溶限降低之元素者。47.如申请专利范围第45项之半导体装置之制造方法,其中系对上述被置换膜、导电膜及吸收体中之至少一者,使用含有上述元素之物质,而在上述导电膜中添加上述元素者。48.如申请专利范围第45项之半导体装置之制造方法,其中系在形成含上述元素之元素添加膜后,以热处理将上述元素添加膜中之上述元素添加于上述导电膜中者。49.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物之置换膜吸收处理,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:上述被置换膜之构成材料与上述吸收体之构成材料的组合,系形成化合物之材料的组合,且上述置换吸收处理之处理温度下之上述导电膜中的上述被置换膜之构成材料的扩散速度,系较上述导电膜中的上述吸收体之构成材料的扩散速度为快者。50.如申请专利范围第49项之半导体装置之制造方法,其中该被置换膜之构成材料与上述吸收体之构成材料的化合物之形成,系较上述导电膜之构成材料与上述吸收体之构成材料的形成为快者。51.如申请专利范围第49项之半导体装置之制造方法,其中该被置换膜之构成材料与上述导电膜之构成材料的组合,系在上述吸收置换处理中,上述被置换膜之构成材料与上述导电膜之构成材料能形成共晶的材料之组合者。52.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔之内部,形成上述被置换膜之后,在上述配线沟之内部形成上述导电膜之过程;及一藉由以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜析出于上述导电膜之表面,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填之过程者。53.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔及配线沟之内部,形成上述被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜析出于上述导电膜的表面之过程;及一自上述配线沟将其上之上述被置换膜除去,并形成上述接续孔内之含上述导电膜之接续体及在上述配线沟内之含上述导电膜之配线中的至少一者。54.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔及配线沟之内部,形成上述被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一在接于上述导电膜之区域形成被置换膜元素之析出促进层之过程;一以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜析出于上述析出促进层之过程;及一自上述配线沟将其上之上述被置换膜及吸收膜除去,并形成上述接续孔内之含上述导电膜之接续体及在上述配线沟内之含上述导电膜之配线中之至少一者。55.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,其中该析出促进层系由与上述被置换膜同种之元素所构成者。56.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔及配线沟之内部,形成上述被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一在上述导电膜中形成含稀有气体,结晶缺陷或杂质之被置换膜元素的析出促进层之过程;一以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜析出于上述析出促进层之过程;及一自上述配线沟将其上之上述被置换膜及吸收膜除去,并形成上述接续孔内之含上述导电膜之接续体及在上述配线沟内之含上述导电膜之配线中之至少一者之过程。57.一种半导体装置之制造方法,包括将在接续孔及配线沟之至少一者的内部所形成之被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将上述接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一藉由在含有与上述被置换膜形成化合物的物质之气体气氛中之热处理,将上述被置换膜以上述导电膜置换,将上述被置换膜与上述物质之化合物,在上述导电膜与上述配线沟之界面及上述接续孔与上述配线沟之界面的至少一部分形成之过程;及一自上述配线沟将其上之上述导电膜、被置换膜及化合物除去之过程。58.一种半导体装置之制造方法,包括将在接续孔及配线沟之至少一者的内部所形成之被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将上述接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一藉由在含有与上述被置换膜形成化合物的物质之气体气氛中之热处理,将上述被置换膜以上述导电膜置换,并形成上述被置换膜与上述物质之化合物的气体,将上述被置换膜除去之过程。59.如申请专利范围第58项之半导体装置之制造方法,其中该气体气氛,系含F、Br、Cl、I,或此等元素中之至少二种的气体气氛者。60.如申请专利范围第58项之半导体装置之制造方法,其中该被置换膜之构成材料、上述导电膜之构成材料、及上述气体气氛之构成材料的组合,系在上述热处理中,上述被置换膜之构成材料与上述气体气氛之构成材料的化合物,较之上述被置换膜之构成材料与上述导电膜之构成材料的化合物,更为低温所形成之材料的组合者。61.如申请专利范围第60项之半导体装置之制造方法,其中该气体气氛含有电离状态之气体者。62.一种半导体装置之制造方法,其特征系在:此制造方法包括:一系形成至少含有二个以上具备内部形成有被置换膜之接续孔及配线沟之绝缘膜的层合构造之绝缘膜之过程,而在形成于上述绝缘膜之配线沟中,以被置换膜至少将最上层之绝缘膜的配线沟之内部充填之过程;一在上述最上层之绝缘膜上,形成导电膜之过程;一在上述导电膜处形成吸收体,以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体,藉以将接续孔与上述配线沟之内部,以上述导电膜充填之过程;以及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,令上述导电膜选择性地残置于上述配线沟及上述接续孔之内部,又在上述接续孔中形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟中形成含上述导电膜之配线者。63.一种半导体装置之制造方法,其特征系在:此制造方法包括:一在绝缘膜中形成接续孔之过程;一将上述接续孔之内部,以含高熔点金属的接续体充填之过程;一在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在含上述配线沟之区域上,形成自该配线沟溢出厚度的导电膜之过程;一至上述绝缘膜之表面为止除去上述导电膜,将上述配线沟之内部以由上述导电膜所构成之配线充填之过程;以及一在上述配线上形成含高熔点之高熔点导电膜之过程。64.如申请专利范围第63项之半导体装置之制造方法,其中系在含上述接续孔之区域中,以该接续体残留于上述配线沟之内部的方式,形成上述配线沟者。65.如申请专利范围第63项之半导体装置之制造方法,其系藉将上述配线沟之内部以被置换膜充填,之后再于该被置换膜上形成导电膜,而后再将该导电膜与上述被置换膜置换,而在含上述配线沟之区域上,形成自该配线沟溢出厚度之导电膜者。66.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于形成在上述导电膜上之吸收体,而将上述接续孔及配线沟之至少一者以上述导电膜充填;其特征系在:将上述吸收体、上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之化合物、及上述导电膜依序除去者。67.如申请专利范围第66项之半导体装置之制造方法,其中该吸收体、生成物及导电膜之除去,系由选自湿式蚀刻法、CDE、RIE、及CMP之任一种方法,或此等方法之组合所进行者。68.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在上述接续孔及配线沟之至少一者之内部,形成含有扩散促进材的被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程;上述扩散促进材系可促进上述被置换膜与上述导电膜间之相互扩散者。69.如申请专利范围第68项之半导体装置之制造方法,其中该扩散促进材料系硼,上述被置换膜系非晶状矽膜,上述吸收体系钛体,上述生成物系钛矽化物者。70.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在上述接续孔及配线沟之至少一者之内部,形成包含扩散促进材的被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一藉由在上述导电膜处形成吸收体,并以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程;上述扩散促进材与上述吸收膜反应而形成可抑制上述吸收膜对于上述导电膜中之扩散的扩散抑制膜,且其形成位置系在上述吸收膜与上述导电膜之界面或其附近者。71.如申请专利范围第70项之半导体装置之制造方法,其中该扩散促进材料系硼,上述被置换膜系非晶状矽膜,上述吸收体系钛体,上述生成物系钛矽化物,上述扩散抑制膜系硼化钛膜者。72.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并形成配线沟之过程;一在上述接续孔及上述配线沟之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域,依序形成吸收膜及导电膜之过程;一藉由以热处理通过上述吸收膜令上述导电膜将上述被置换膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收膜形成扩散抑制材,而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,并将上述被置换膜吸收于上述吸收膜所生成之生成物除去,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。73.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔之过程;一在上述接续孔之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔之区域形成吸收膜,而后再形成导电膜之过程;一藉由以热处理通过上述吸收膜令上述导电膜将上述被置换膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收膜形成扩散抑制材,而将上述接续孔之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,并将上述被置换膜吸收于上述吸收膜所生成之生成物除去,在上述接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体之过程。74.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在上述接续孔及上述配线沟之至少一者之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一在上述导电膜上形成扩散抑制层之过程;一在上述扩散抑制层上形成吸收体,以热处理令上述导电膜将上述被置换膜置换,同时将上述被置换膜吸收于上述吸收体,藉而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程。75.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在上述接续孔及上述配线沟之至少一者之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一在上述导电膜处形成吸收体,以热处理令上述导电膜将上述被置换膜置换,同时形成扩散抑制层,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体,藉而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;及一将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程;上述热处理,系在以低温热处理形成扩散抑制层之后,再以高温热处理促进上述被置换膜吸收于吸收体者。76.一种半导体装置之制造方法,包括:一在具有被接续体之半导体基板上,形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成深度达上述被接续体之接续孔,并在上述绝缘膜中形成配线沟之过程;一在上述接续孔及上述配线沟之至少一者之内部,形成被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一在上述导电膜处形成吸收体,以热处理令上述导电膜将上述被置换膜置换,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体,藉而将上述接续孔及配线沟之内部以上述导电膜充填之过程;一将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,并将上述导电膜加工,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之过程;上述热处理之热处理温度与热处理时间之组合,系使充填于上述接续孔及上述配线沟之内部的上述导电膜中所残留之上述被置换膜的构成材料所造成之上述导电膜的电阻成份,与充填于上述接续孔及上述配线沟之内部的上述导电膜中所残留之上述吸收体的构成材料所造成之上述导电膜的电阻成分的和,为最小或接近最小者。77.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体之置换吸收处理,而将上述接续孔及配线沟之至少一者的内部以上述导电膜充填之过程;其特征系在:上述置换吸收处理,系在扩散上述导电膜中之上述吸收体的构成材料排出至上述导电膜外部之气体气氛中进行,或在上述置换吸收处理后,在上述导电膜中所残留之上述吸收体的构成材料排出至上述导电膜外部之气体气氛中进行热处理者。78.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体,而将上述接续孔及配线沟之至少一者的内部以上述导电膜充填之过程;其特征系在:在将上述被置换膜吸收于上述吸收体所生成之生成物除去,在上述配线沟及接续孔之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜之接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线之后,在上述导电膜内所残留之上述吸收体的构成材料排出至上述导电膜外部之气体气氛中进行热处理者。79.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物之置换吸收处理,而将上述接续孔及配线沟之至少一者的内部以上述导电膜充填之过程;其特征系在:上述置换吸收处理后,除去上述生成物,将上述导电膜加工,在上述接续孔及上述配线沟之内部选择性地残置上述导电膜,又分别在上述接续孔内形成含上述导电膜接续体,在上述配线沟内形成含上述导电膜之配线;其次,藉由昇温至上述导电膜内所残留之上述吸收体的构成材料之固溶浓度的固溶限温度以上,置换吸收处理之处理温度以下的温度,而后予以退火,藉而将残留于上述导电膜内之上述吸收体的构成材料排出至上述导电膜之外部;而后,将含有排出至上述导电膜表面之上述吸收体的构成材料之生成层除去者。80.一种半导体装置之制造方法,包括藉由将形成于接续孔及配线沟之至少一者的内部之被置换膜,以形成于该被置换膜上之导电膜置换,同时将上述被置换膜吸收于吸收体生成生成物之置换吸收处理,而将上述接续孔及配线沟之至少一者的内部以上述导电膜充填之过程;其特征系在:形成于上述被置换膜上之上述导电膜的厚度,系在上述置换吸收处理时,能降低扩散至上述内部之上述吸收体的构成材料之量的充分厚度者。81.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层的绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔及配线沟之内部,形成上述被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一在上述导电膜处形成吸收体之过程;一在上述吸收体上部,形成相对导因于吸收体之体积变化的对于导电膜之拉张应力,相对地赋与压缩应力的膜之过程;一以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜吸收于上述吸收体之过程;及一自上述配线沟将其上之上述被置换膜及上述吸收体除去,并形成上述接续孔内之含上述导电膜之接续体及在上述配线沟内之含上述导电膜之配线中之至少一者之过程。82.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层的绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔及配线沟之内部,形成上述被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一形成在上述导电膜中,可透过被置换膜之构成元素或导电膜之构成元素,且可缓和导因于吸收体之体积变化的对于导电膜之拉张应力的层体之过程;一在上述导电膜处形成吸收体之过程;一以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜吸收于吸收体之过程;及一自上述配线沟将其上之上述被置换膜及上述吸收体除去,并形成上述接续孔内之含上述导电膜之接续孔及在上述配线沟内之含上述导电膜之配线中之至少一者之过程。83.一种半导体装置之制造方法,包括将被置换膜以形成于该被置换膜上之导电膜置换,并将形成于同一层的绝缘膜之接续孔及配线沟的至少一者以上述导电膜充填之过程;其特征系在:此制造方法包括:一在上述接续孔及配线沟之内部,形成上述被置换膜之过程;一在包含上述接续孔及配线沟之区域上,形成导电膜之过程;一形成在置换热处理时,吸收膜吸收被置换膜之过程中,会与吸收前之体积同程度,或是收缩的吸收膜之过程;一以热处理将上述被置换膜以上述导电膜置换,并将上述被置换膜吸收于上述吸收膜之过程;及一自上述配线沟将其上之上述被置换膜及上述吸收膜除去,并形成上述接续孔内之含上述导电膜之接续孔及在上述配线沟内之含上述导电膜之配线中之至少一者之过程。84.如申请专利范围第83项之半导体装置之制造方法,其中该导电膜之构成材料系Al或Al合金,上述被置换膜之构成材料系Si或Ge,上述吸收体或吸收膜之构成材料系Ti、Hf、V、Zr、W、Co、Ni、Pd或Fe者。85.一种半导体装置,具备半导体基板、形成于该半导体基板上的具有凹部之绝缘膜、及形成于该凹部内之导电膜;上述导电膜含有固溶可能之最大浓度以下的具有较构成导电膜之元素为低的熔点之低熔点物质者。86.如申请专利范围第85项之半导体装置,其中该固溶可能之最大浓度,系至少构成上述导电膜之元素与上述低熔点物质在固-液平衡之场合,与由构成上述导电膜之元素和上述低熔点物质所组成的液相平衡之固相中,上述低熔点物质之最大浓度者。87.一种半导体装置,具备半导体基板、形成于该半导体基板上的具有凹部之绝缘膜、形成于上述凹部内面之至少一部分的由障壁金属或由较上述绝缘膜表面能为高的物质所构成之薄膜、及形成于上述凹部内之导电膜;上述导电膜含有固溶可能之最大浓度以下的具有较构成导电膜之元素为低的熔点之物质者。88.如申请专利范围第86项之半导体装置,其中该构成上述导电膜之元素与具有较构成导电膜之元素为低的熔点之物质系可形成共晶者。89.一种半导体装置之制造方法,包括:一在半导体基板上形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成凹部之过程;一在上述凹部内,形成含导电性元素及具有较该元素为低的熔点之物质的液相之过程;一将上述液相之组成,自平衡组成移至上述导电性元素过剩之组成,令上述导电性元素结晶化,至少在上述凹部内形成导电膜之过程;及一将存在于上述凹部外之上述绝缘膜上之物质除去之过程。90.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方法,其中该在上述凹部内,形成含导电性元素及较该元素为低的熔点之物质的液相之过程,包括将具有至少含较上述导电性元素为低熔点之物质的层之构造,予以加热之过程者。91.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方法,其中该在上述凹部内,形成含导电性元素及具有较该元素为低的熔点之物质的液相之过程,系对上述凹部内,将具有较上述导电性元素为低的熔点之物质的熔融物、或含上述导电性元素与具有较该元素为低的熔点之物质的熔融物,一面加压一面充填者。92.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方法,其中该将上述液相之组成,自平衡组成移至上述导电性元素过剩之组成,令上述导电性元素结晶化之过程,系进行上述液相之降温或朝固-液二相温度区域之降温-保持,且进行一次以上者。93.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方法,其中该在上述液相之组成,自平衡组成移至上述导电性元素过剩之组成,令上述导电性元素结晶化之过程,系对上述具有低熔点之物质的熔融物、或是含上述导电性元素与具有较该元素为低的熔点之物质的熔融物,供给导电性元素者。94.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方法,其中该在上述液相之组成,自平衡组成移至上述导电性元素过剩之组成,令上述导电性元素结晶化之过程,包括以与上述具有低熔点之物质形成气相化合物的气氛进行热处理,及将上述气相化合物除去者。95.如申请专利范围第89项之半导体装置之制造方法,其中该将存在于上述凹部外之上述绝缘膜上之物质除去之过程,系导入含卤素之气体形成卤化物,再将该卤化物除去者。96.一种半导体装置之制造方法,包括:一在半导体基板上形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中,形成至少一部分形成有由至少表面能较上述绝缘膜为高之物质所构成的薄膜之凹部之过程;一在上述凹部内,形成含导电性元素及具有较该元素为低的熔点之物质的液相之过程;一将上述液相之组成,自平衡组成移至上述导电性元素过剩之组成,令上述导电性元素结晶化,在上述凹部内形成导电膜之过程;及一将存在于上述凹部外之上述绝缘膜上之物质除去之过程。97.一种半导体装置之制造方法,包括:一在半导体基板上形成绝缘膜之过程;一在上述绝缘膜中形成凹部之过程;一在上述凹部内,形成含导电性元素及具有较该元素为低的熔点之物质的液相之过程;一将上述液相之组成,自平衡组成移至上述导电性元素过剩之组成,令上述导电性元素结晶化,在上述凹部内形成导电膜之过程;及一将存在于上述凹部外之上述绝缘膜上之物质除去之过程;在上述导电性元素结晶中或结晶后,系添加以添加元素者。98.如申请专利范围第97项之半导体装置之制造方法,其中该添加元素,系可提高结晶后之导电膜之电迁移或应力迁移耐性之元素者。99.如申请专利范围第97项之半导体装置之制造方法,其中该添加元素,系可降低结晶后之低熔点材料的固溶限之元素者。图式简单说明:第一图A及第一图B系依习用方法所形成的多层配线构造之断面图。第二图A及第二图B系依习用多层配线构造之形成方法的问题点之表示用断面图。第三图A-第三图F系实施例1半导体装置之制造过程之断面图。第四图系实施例1半导体装置在制造过程途中的构造之断面透视图。第五图A及第五图B系存在有宽度不同之配线沟的场合之说明用断面图。第六图A及第六图B系存在有宽度不同之配线沟的场合,其问题的解决方法之说明用断面图。第七图A-第七图C系表示配线沟及接续孔之内部残存的Si量之断面图。第八图A-第八图F系表示障壁膜形成位置不同之各种dual-damascene配线构造之断面图。第九图A及第九图B系实施例1之变形例的半导体装置之制造过程之断面图。第十图A-第十图F系实施例2半导体装置之制造过程之断面图。第十一图A-第十一图E系实施例3半导体装置之制造过程之断面图。第十二图A-第十二图F系实施例4半导体装置之制造过程之断面图。第十三图A-第十三图F系实施例5半导体装置之制造过程之断面图。第十四图A-第十四图D系实施例10半导体装置之制造过程之断面图。第十五图A-第十五图H系实施例11半导体装置之制造过程之断面图。第十六图A-第十六图H系实施例12半导体装置之制造过程之断面图。第十七图A-第十七图E系实施例12之变形例的半导体装置之制造过程之断面图。第十八图A-第十八图D系实施例13半导体装置之制造过程之断面图。第十九图A-第十九图C系热处理之时序图。第二十图A-第二十图F系实施例16半导体装置之制造过程之断面图。第二十一图A-第二十一图D系实施例17半导体装置之制造过程之断面图。第二十二图A-第二十二图E系实施例18半导体装置之制造过程之断面图。第二十三图A-第二十三图E系实施例20半导体装置之制造过程之断面图。第二十四图A-第二十四图C系实施例22半导体装置之制造过程之断面图。第二十五图A-第二十五图C系实施例23半导体装置之制造过程之断面图。第二十六图A-第二十六图D系实施例24半导体装置之制造过程之断面图。第二十七图A-第二十七图D系实施例25半导体装置之制造过程之断面图。第二十八图A-第二十八图H系实施例26半导体装置之制造过程之断面图。第二十九图A-第二十九图J系实施例27半导体装置之制造过程之断面图。第三十图系添加有B之a-Si膜及未添加B之a-Si膜的堆积速率之温度依存性图;第三十一图系依作为被置换膜使用之Si膜的种类、充填后Al之电阻率値产生不同的要因之说明用图。第三十二图系电阻率値之电阻构成要素成分之分离表示图。第三十三图A-第三十三图D系实施例30半导体装置之制造过程之断面图。第三十四图A-第三十四图D系实施例30之变形例的半导体装置之制造过程之断面图。第三十五图系实施例29之变形例的半导体装置之制造过程之断面图。第三十六图A-第三十六图B系实施例29之变形例的半导体装置之制造过程之断面图。第三十七图系置换热处理温度与Ti化合物的生成量之关系图。第三十八图A及第三十八图B系实施例33半导体装置之制造过程之断面图。第三十九图A-第三十九图C系实施例34半导体装置之制造过程之断面图。第四十图A-第四十图E系实施例35之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十一图A-第四十一图E系实施例36之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十二图A-第四十二图E系实施例38之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十三图A-第四十三图E系实施例39之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十四图A-第四十四图E系实施例39的变形例之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十五图A-第四十五图E系实施例40之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十六图A-第四十六图G系实施例42之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第四十七图A-第四十七图E系实施例43之一方向应力赋与过程之断面图。第四十八图A-第四十八图E系实施例44之使用一方向应力赋与液相充填法的过程之断面图。第四十九图A-第四十九图C系实施例46氧化膜的表面改质方法之断面图。第五十图A-第五十图C系实施例47之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第五十一图系Al-Sn状态图。第五十二图A及第五十二图B系实施例50之Al-Sn膜或Sn膜之堆积、加热过程图。第五十三图A-第五十三图D系实施例52之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第五十四图A-第五十四图D系实施例54之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。第五十五图A-第五十五图C系实施例55之接续接线及沟配线的形成方法之依过程顺序之断面图。 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