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1.一种运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,包括:(a)使用一反应性气体电浆与一惰性气体电浆其中之一,处理一模具表面;以及(b)使用一电浆聚合制程,沈积一电浆聚合物薄膜于该模具表面上。2.如申请专利范围第1项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中在该步骤(a)中该惰性气体电浆包括衍生自氩气。3.如申请专利范围第1项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中在该步骤(a)中该反应性气体电浆包括衍生自一反应性气体,该反应性气体系选自于由氧气、空气与水汽所组成的族群中的元素。4.如申请专利范围第1项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中在该步骤(b)中该电浆聚合物薄膜系衍生自矽甲烷与碳氢化合物之一混合物。5.如申请专利范围第4项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中该碳氢化合物系选自于由甲烷、乙烷、乙炔、苯、氢气与其一混合物所组成的族群中的元素。6.如申请专利范围第1项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中在该步骤(b)中该电浆聚合物薄膜系衍生自一有机矽甲烷。7.如申请专利范围第6项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中该有机矽甲烷系选自于由甲基矽甲烷、乙基矽甲烷、甲基三氯基矽甲烷、三甲基矽甲烷、四甲基矽甲烷、三甲基乙氧基矽甲烷、甲基三甲氧基矽甲烷、甲基三硫氧基矽甲烷、六甲基二矽氧烷、四甲基二矽甲烷、六甲基二矽甲烷与四甲基二矽氧烷所组成的族群中的元素。8.如申请专利范围第1项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中在该步骤(b)中该电浆聚合物薄膜系衍生自一碳氟化合物。9.如申请专利范围第8项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中该碳氟化合物包括六氟乙烷。10.如申请专利范围第8项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中在该步骤(b)中使用该电浆聚合制程,以沈积该电是聚合物薄膜的步骤中,更包括使用一载气。11.如申请专利范围第10项所述之运用低温电浆制程加强模具脱模效应的方法,其中该载气系选自于氩、氦、氖、氧与氢气所组成的族群中的元素。图式简单说明:第一图系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种电浆沈积系统图,包括真空室、电极、RF电源供应器与相关的管子等。 |
