发明名称 | 抗反射膜材料以及利用所述材料制造半导体器件的方法 | ||
摘要 | 通过在半导体基片上形成的工件膜上涂敷一种抗反射膜形成材料形成抗反射膜,然后形成光致抗蚀膜。此时,该抗反射膜形成材料包括构成所述材料的基本树脂和添加到所述基本树脂中的添加树脂,所述添加树脂组具有比基本树脂高的干蚀率。通过对抗蚀膜辐射和显影形成抗蚀膜图形。然后利用抗蚀膜图形作为掩模对抗反射膜选择地蚀刻。因而,利用抗蚀膜图形和抗反射膜作为掩模选择地对工件进行蚀刻。 | ||
申请公布号 | CN1197285A | 申请公布日期 | 1998.10.28 |
申请号 | CN98101557.3 | 申请日期 | 1998.04.17 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 佐本典彦;岩崎治夫;西沢厚;吉井刚;吉野宏 |
分类号 | H01L21/302;C09D5/33 | 主分类号 | H01L21/302 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
主权项 | 1.一种直接应用于设置在半导体基片上的工件上和光抗蚀膜的正下方以形成抗反射膜的抗反射膜形成材料,其中所述材料包括基本树脂和添加到所述基本树脂中的添加树脂,所述添加树脂具有比所述基本树脂高的干蚀率。 | ||
地址 | 日本东京 |