多晶硅电阻及其制造方法

摘要

一种电阻,具有多晶硅的电阻本体(11)和设置在电阻本体(11)上和/或电阻本体(11)内的电端子(23,15),所以电阻部分(13)形成在端子之间,并产生有用的电阻值。电阻本体的材料用受主类型和施主类型的掺杂剂掺杂。为了相当大程度地阻断晶界处的电荷载流子陷阱,并由此使电阻具有良好的稳定性,当在制造期间暴露到不同的物质时,用高浓度的施主掺杂,如果材料中仅存有施主原子基本不存在受主原子时,可认为材料近乎被重掺杂。特别是提供到电阻本体中的施主原子的浓度至少为3·10¹⁹cm^－3,材料具有1000A的平均晶粒尺寸,使用磷作为施主类型的掺杂剂。

主权项

1.一种电阻，包括多晶硅的电阻本体和提供到和/或电阻本体内的电端子，具有位于端子之间产生电阻值的电阻部分，用受主类型和施主类型的掺杂剂掺杂电阻部分的材料，用于产生电阻的所需电阻值，其特征在于，电阻本体中的施主类型的掺杂剂浓度很大，以致它/它们很大程度地阻断多晶材料中晶界处的电荷载流子陷阱，特别是当它暴露到可键合到材料中的不饱和键的物质中时，多晶材料具有良好的稳定性，即它的电阻率变化程度很小。