| 主权项 |
1.一种主资讯载体,其特征为:将资讯信号记录到磁 气记录媒体所使用的主资讯载体,基体上为前记信 号所对应的凹凸形状所形成,且前记凹凸形状至少 凸部表面为强磁性材料所构成。2.依申请专利范 围第1顶所述之主资讯载体,前记强磁性材料为软 质磁性材料为其特征。3.依申请专利范围第1项所 述之主资讯载体,前记强磁性材料,其体面内方向 保磁力或基体垂方向保磁力为40KA/m以下的硬质成 半硬质磁性材料为其特征。4.依申请专利范围第1 项所述之主资讯载体,前记强磁性材料的饱和磁束 密度为0.8T以上的其特征。5.依申请专利范围第1项 所述之主资讯载体,前记基体至少一部份育可挠性 为其特征。6.依申请专利范围第5项所述之主资讯 载体,前记基体为高分子材料所形成为其特征。7. 依申请专利范围第6项所述之主资讯载体,前记基 体为复数高分子材料所积层的多层构造为其特征 。8.依申请专利范围第6项所述之主资讯载体,前记 基体为有导电性的高分子材料所构成为其特征。9 .依申请专利范围第6项所述之主资讯载体,前记基 体为导电物质为主成分的微粒子呈分散状为其特 征。10.依申请专利范围第9项所述之主资讯载体, 前记导电物质为碳纤为主成分为其特征。11.依申 请专利范围第6项所述之主资讯载体,前记高分子 材料构成的基体上形成导电性薄膜,前记导电性薄 膜上形成资讯信号所对应的凹凸形状,前记凹凸形 状至少凸部表面为强磁性材料所构成为其特征。 12.依申请专利范围第5项所述之主资讯载体,前记 基体,以金属、合金或陶磁材料为母材及前记母材 上高分子材料层为特征。13.依申请专利范围第12 项所述之主资讯载体,前记基体,以前记母材表面 贴上高分子材料胶片的构造为特征。14.依申请专 利范围第12项所述之主资讯载体,前记基体,以前记 母材表面涂布monoma或Polyma前驱体或流延后再重合 的高分子材料层为特征。15.依申请专利范围第12 项所述之主资讯载体,前记基体,以前记母材表面 由真空蒸着而形成的高分子材料的表面层为特征 。16.依申请专利范围第12项所述之主资讯载体,前 记母材表面所形成的表面层为复数种类的高分子 材料积层的多层机造为特征。17.依申请专利范围 第12项所述之主资讯载体,前记基体表面为有导电 性的高分子材料所构成为特征。18.依申请专利范 围第12项所述之主资讯载体,前记基体表面所构成 的高分子材料为导电物质为主成分的微粒子呈分 散状为其特征。19.依申请专利范围第18项所述之 主资讯载体,前记导电物质碳纤为主成分为特征。 20.依申请专利范围第12项所述之主资讯载体,前记 高分子材料形成的基体表面上而形成导电性薄膜, 前记导电性薄膜上为资讯信号所对应而形成凹凸 形状,前记凹凸形状至少凸部表面为强磁性材料所 构成特征。21.一种主资料载体,记录到磁气记录媒 体的资讯信号之资讯载体,其强磁性材料的基体表 面上,为前记资讯记号所对应而形成凹凸形状为特 征。22.依申请专利范围第21项所述之主资讯载体, 前记基体的强磁性材构成,为软质磁性材为特征。 23.依申请专利范围第21项所述之主资讯载体,前记 基体的强磁性材构成,其基体面内保磁力或基体垂 直方向保磁力皆在40KA/m値以下的硬质或半硬质磁 性材料为特征。24.依申请专利范围第21项所述之 主资讯载体,前记基体所构成的强磁性材料的饱和 磁束密度为0.8T以上的其特征。25.依申请专利范围 第1项所述之主资讯载体,前记基体的表面上的数 位资讯信号由其所对应而形成凹凸形状,前记凹凸 形状甚少凸部为强磁性材料所构成,前记资讯信号 的字元长方向的前记凸部断面形状,实质上,为表 面侧为上底,基体侧为下底,上底比下底短的梯形, 而且两底长的差为前记梯形的2倍高以下为特征。 26.依申请专利范围第25项所述之主资讯载体,前记 短形的上底的两端部的曲率半径为上底长的一半 以下为特征。27.依申请专利范围第25项所述之主 资讯载体,前记凸部的强磁性材料的层厚为上底长 的一半以下为特征的面内磁气记录媒体上作资讯 记录为特征。28.依申请专利范围第25项所述之主 资讯载体,前记凸部的强磁性材料的层厚,上底长 的2倍以上为特征。29.依申请专利范围第1项所述 之主资讯载体,前记基体的表面上的数位资讯信号 由其所对应而形成凹凸形状,前记凹凸形状甚少凸 部为强磁性材料所构成,前记资讯信号的字元长方 向的前记凸部断面形状,实质上,为表面侧为上底, 基体侧为下底,而上底比下底长的梯形为特征。30. 依申请专利范围第29项所述之主资讯载体,前记凸 部的强磁性材料的层厚为上底长的一半以下为特 征的面内磁气记录媒体上作资讯记录为特征。31. 依申请专利范围第29项所述之主资讯载体,前记凸 部的强磁性材料的层厚为上底长的2倍以上为特征 。32.依申请专利范围第1项所述之主资讯载体,前 记基体表面上为由资讯信号所对应的凹凸形状所 形成的领域及前记凹凸形状没有形成的领域组成, 前记凹凸形状至少凸部表面为强磁性材料所构成, 前记凹凸形状没有形成领域至少有一部为贯穿孔 为特征。33.依申请专利范围第1项所述之主资讯载 体,前记基体表面上为由资讯信号所对应的凹凸形 状所形成的领域及前记凹凸形状没有形成的领域 组成,前记凹凸形状至少凸部表面为强磁性材料所 构成,前记凹凸形状未形成的领域至少有一部份的 表面高比前记凹凸形状形成的领域表面高低为特 征。34.一种主资讯载体的制造方法,其为磁气记录 媒体上资讯信号记录所采用,为基体表面上所对应 资讯信号的凹凸形状以光学阻抗膜形成工程,及前 记凹凸形状上强磁性薄膜形成工程及前记强磁性 薄膜表面蚀刻版工程及前记光学阻抗膜及光学阻 抗膜膜上强磁性薄膜Lift Off法除去工程等所组成 的制造方法。35.依申请专利范围第34项所述之主 资讯载体的制造方法,前记光学阻抗膜所形成凹凸 形状的工程而言,数位资讯信号的字元长方向的凸 部断面形状,实际上,为表面侧为上底,基体侧为下 底之矩形,而且下底比上底长为其特征。36.依申请 专利范围第34项所述之主资讯载体的制造方法,其 中前记强磁性薄膜表面以蚀刻版工程及Sputter蚀刻 版及原子切割处理为其特征。37.依申请专利范围 第36项所述之主资讯载体的制造方法,其中基体表 面上原子以入射角为基体面法线20度以上为特征 。38.依申请专利范围第34项所述之主资讯载体的 制造方法,前记强磁性薄膜表面施以蚀刻版工程, 再用化学蚀刻版处理为其特征。39.一种主资讯载 体的制造方法,其为磁气记录媒体上资讯信号记录 所采用为基体表面上导电性薄膜之形成工程及前 记导电性薄膜上数位资讯信号所对应凹凸形状以 光学阻抗膜之形成工程及前记凹凸形状形成的前 记导电性薄膜上以电解涂布法而形成强磁性薄膜 之工程,及前记光学阻抗膜去除工程等组成的制造 方法。40.依申请专利范围第39项所述之主资讯载 体之制造方法,前记光学阻抗膜而形成之凹凸形状 之工程而言,数位资讯信号的字元长方向的凸部断 面形状,实际上为表面侧为上底,基体侧为下底之 矩形,而且下底比上底长为其特征。41.依申请专利 范围第39项所述之主资讯载体之制造方法,前记导 电性薄膜表面的光反射率为以光学阻光学阻抗膜 曝光光源及波长领域的50%以下为其特征。42.依申 请专利范围第41项所述之主资讯载体之制造方法, 前记导电性薄膜以碳纤为主成分为其特征。43.一 种主资讯载体的制造方法,其为磁气记录媒体的资 讯信号记录所用,导电性基体表面上数位资讯信号 所对应的凹凸形状以光学阻膜形成工程及前记凹 凸形状形成前记导电性薄膜上以电解涂布法而形 成强磁性薄膜之工程,及前记光学阻抗膜膜去除工 程等组成的制造方法。44.依申请专利范围第43项 所述之主资讯载体之制造方法,前记光学阻抗膜而 形成之凹凸形状的工程而言,数位资讯信号的字元 长方向的凸部断面形状,实际上为表面侧为上底, 基体侧为下底之矩形,而且下底比上底长为其特征 。45.依申请专利范围第43项所述之主资讯载体之 制造方法,前记导电性薄膜表面的光反射率为以光 学阻光学阻抗膜曝光光源及波长领域的50%以下为 其特征。46.依申请专利范围第45项所述之主资讯 载体之制造方法,前记导电性薄膜以碳纤为主成分 为其特征。47.一种主资讯载体的磁气媒体的资讯 信号记录的方法,其表面上形成前记资讯信号所对 应的凹凸形状,前记凹凸形状至少其凸部表面为强 磁性材料所构成的主资讯载体,强磁性薄膜或强磁 性粉涂布层所形成的表格状及磁碟状的记录媒体 表面上与前记主资讯载体的表面接触之故,所以将 前记凹凸形状所对应之磁化模式记录到前记磁气 媒体上为特征之记录方法。48.依申请专利范围第 47项所述之磁气媒体的资讯信号记录的方法,前记 主资讯载体表面与前记磁气记录媒体表面接触时, 印加交流偏压磁界为特征。49.依申请专利范围第 47项所述之磁气媒体的资讯信号记录的方法,前记 主资讯载体表面与前记磁气记录媒体表面接触时, 将主资讯载体凸部表面所构成的强磁性材料磁化 的印加直流磁界为特征。50.依申请专利范围第47 项所述之磁气媒体的资讯信号记录的方法,前记主 资讯载体表面与前记磁气记录媒体表面接触时,印 加交流偏压磁界而且将主资讯载体凸部表面所构 成的强磁性材料磁化的印加直流磁界为特征。51. 依申请专利范围第47项所述之磁气媒体的资讯信 号记录的方法,前记主资讯载体表面与前记磁气记 录媒体表面接触时,将前记磁气记录媒体加热为特 征。52.依申请专利范围第47项所述之磁气媒体的 资讯信号记录的方法,前记主资讯载体表面与前记 磁气记录媒体表面接触时,将前记磁气记录媒体预 先消去直流磁界为特征。53.依申请专利范围第47 项所述之磁气媒体的资讯信号记录的方法,前记主 资讯载体的凸部表面所构成的强磁性材料为软质 磁性为其特征。54.依申请专利范围第47项所述之 磁气媒体的资讯信号记录的方法,前记主资讯载体 的凸部表面所构成的强磁性材料为基体面内保磁 力40KA/m以下硬质磁性为其特征。55.依申请专利范 围第47项所述之磁气媒体的资讯信号记录的方法, 前记主资讯载体的凸部表面所构成的饱和磁束密 度为0.8T以上为其特征。56.一种磁气记录装置,资 讯信号所对应的凹凸形状的形成,采用其前记凹凸 形状至少其凸部表面为强磁性材料所构成的主资 讯载体,在强磁性层的磁气记录媒体上,将前记资 讯信号记录的装置,前记主资讯载体与前记磁气记 录媒体的密着手段及前记主资讯载体与前记磁气 记录媒体的位置对准的手段,及前记主资讯载体的 凸部表面所构成的强磁性材料磁化所印加磁界的 磁界印加手段等组成为特征。57.依申请专利范围 第56项所述之磁气记录装置,前记资讯信号所对应 的凹凸形状所形成的领域与前记凹凸形状没有形 成的领域的表面,前记凹凸形状没有形成的领域至 少有一部份为贯穿主资讯载体,前记密着手段为前 记主资讯载体及前记记录媒体保持接触状态,前记 主资讯磁气透过贯穿孔洞,将前记主资讯载体与前 记磁气记录媒体之间所存在的气体排出而使前记 资讯载体的凹凸形状与前记磁气记录媒体保持密 着的构成状态为特征。58.依申请专利范围第56项 所述之磁气记录装置,前记资讯信号所对应的凹凸 形状所形成的领域与前记凹凸形状没有形成的领 域的表面,前记凹凸形状没有形成的领域至少有一 部份为贯穿主资讯载体,为表面高为前记凹凸状形 成的领域表面高还低的主资讯载体,前记密着手段 ,为前记主资讯载体及前记磁气记录媒体保持接触 状态,前记主资讯载体透过贯穿孔,将前记主资讯 载体与前记磁气记录媒体之间所存在的气体排出 而使前记资讯载体的凹凸形状与前记磁气记录媒 体保持密着的构成状态为特征。59.依申请专利范 围第56项所述之磁气记录装置,前记密着手段为前 记主资讯载体及挟持前记磁气记录媒体的一对边 缘及前记一对边缘的周部相互连结手段等为其特 征。60.依申请专利范围第56项所述之磁气记录装 置,前记一对边缘及前记主资讯载体及前记磁气记 录媒体之间至少有一为弹性部材为其特征。61.依 申请专利范围第56项所述之磁气记录装置,前记位 置对准的手段,为前段磁气媒体的内周对准之前记 主资讯载体的内周部所配置的记号为特征。62.依 申请专利范围第56项所述之磁气记录装置,前记位 置对准的手段,为前段磁气媒体的外周对准之前记 主资讯载体的外周部所配置的记号为特征。图式 简单说明: 第一图为本发明之主资讯载体的表面结构例子之 扩大平面图。 第二图为本发明之主资讯载体的沿磁轨方向之实 施例子之断面图。 第三图为本发明之主资讯载体的沿磁轨方向另一 实施例子的断面图。 第四图为本发明之主资讯载体的沿磁轨方向其他 之实施例子的断面图。 第五图为本发明之主资讯载体的沿磁轨方向其他 之实施例子的断面图。 第六图(a)为使用本发明之主资讯载体之主资讯信 号记录到磁气记录媒体之方法。 第六图(b)记录到磁气记录上之记录磁化模式之例 子之图示。 第六图(c)记录到磁气记录媒体上之记录磁化模式 之磁头再生波形的例子图示。 第七图为使用本发明之主资讯载体之主资讯信号 记录到磁气记录媒体之其他方法之图示。 第八图为将使用本发明之主资讯载体之主资讯信 号记录到磁气记录媒体之另外其他方法之图示。 第九图(a)将使用本发明之主资讯载体之主资讯信 号记录到磁气记录媒体之其他方法之图示。 第九图(b)记录到磁气记录之记录磁化模式之一例 之图示。 第九图(c)记录到磁气记录媒体之记录磁化模式而 产生之磁头再生波形之一例子图示。 第十图为本发明之资讯载体凸部之字元长度方向 之断面图例。 第十一图为本发明之资讯载体凸部之字元长度方 向之断面之其他图例。 第十二图为本发明之主资讯载体之制造过程图例 。 第十三图为本发明之主资讯载体之制造过程另一 图例。 第十四图为本发明之主资讯载体之制造过程其它 图图例。 第十五图为本发明之主资讯载体之例子之图例。 第十六图为将使用本发明之主资讯载体之资讯信 号记录到磁气记录媒体之主资讯之磁气记录装置 断面图 第十七图(a)使用第十六图之磁气记录装置,将主资 讯载体之资讯信号记录到磁气记录媒体方法之斜 视图。 第十七图(b)使用第十六图之磁气记录装置,将主资 讯载体之资讯信号记录到磁气记录媒体之其它方 法斜视图。 第十八图为磁气记录媒体预先初期磁化方法之例 子图示。 第十九图(a)为本发明之主资讯载体的平面结构例 之图示。 第十九图(b)为第十九图(a)之主资讯载体,沿C-C'线 之表面轮廓图示。 第二十图为第十九图使用本发明之主资讯载体之 将资讯信号记录到磁气记录媒体之主资讯磁气记 录装置断面图。 第二十一图为第二十图之将使用本发明之主资讯 载体之资讯信号记录到磁气记录媒体方法之斜视 图。 |
