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<p>L'invention concerne un dispositif (300) de mémoire non volatile. Dans un certain mode de réalisation, le dispositif (300) de mémoire non volatile comprend une ligne de bits, une ligne source et une cellule de mémoire non volatile comportant un drain couplé à la ligne de bits, une source couplée à la ligne source, une grille de commande et une grille flottante. Le dispositif (300) de mémoire non volatile comporte également un générateur (312) de tension source couplé à la ligne source et produisant une tension de ligne source lors de la programmation de la cellule de mémoire non volatile. Le générateur (312) de tension source fait varier la tension de la ligne source d'après l'emplacement de la cellule de mémoire non volatile dans la matrice (322) de la mémoire. En outre, le dispositif (300) de mémoire non volatile peut comporter un générateur (308) de tension de drain couplé à la ligne de bits et produisant une tension de ligne de bits lors de la programmation de la cellule de mémoire non volatile. Le générateur (308) de tension de drain fait varier la tension de la ligne de bits d'après l'emplacement de la cellule de mémoire non volatile dans la matrice (322) de la mémoire.</p> |
