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发明名称 Integrierte Schaltung mit Rekombinationsschicht und Schutzring zur Trennung von VDMOS und CMOS oder dergleichen
摘要
申请公布号 DE3856233(D1) 申请公布日期 1998.09.17
申请号 DE19883856233 申请日期 1988.05.26
申请人 NISSAN MOTOR CO., LTD., YOKOHAMA, KANAGAWA, JP 发明人 MATSUSHITA, TSUTOMU, YOKOHAMA CITY, JP
分类号 H01L27/08;H01L21/18;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/04;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
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