半导体器件及其制造方法

摘要

通过选择加入对晶化非晶硅和退火有催化作用的金属元素，在预定方向晶化硅膜。在制造ＴＦＴ过程中，利用晶化硅膜，如此提供ＴＦＴ以致于晶化方向大致平行于源和漏之间的电流方向，以及如此提供ＴＦＴ以致于晶化方向大致垂直于源和漏之间的电流方向。因此，在同一衬底上面，形成能够进行高速工作的ＴＦＴ和具有低漏电流的ＴＦＴ。

主权项

1.一种半导体器件包括一衬底和在该衬底上形成的多个薄膜晶体管，该器件还包括：在每一薄膜晶体管中的晶体生长方向上生长晶体的结晶硅区；以及覆盖着结晶硅区的氧化硅层，其特征在于至少有一个薄膜晶体管其结晶硅区具有与裁流子运动的方向相一致的晶体生长方向，并至少有另一个薄膜晶体管其结晶硅区和载流子运动的方向不同。