| 发明名称 | 用于微电子学结构的电子束处理的膜 | ||
| 摘要 | 一种改进的制作用在微电子应用中镀有介质膜的衬底的方法,其中通过将镀膜的衬底对电子束流曝光而处理该介质膜。经过电子束曝光而固化的衬底具有优越的介电特性、密度、均匀性、热稳定性和氧稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1187903A | 申请公布日期 | 1998.07.15 |
| 申请号 | CN96194746.2 | 申请日期 | 1996.06.04 |
| 申请人 | 联合讯号公司 | 发明人 | L·福雷斯特;N·H·恨德里克斯;D·玉－蔡 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种固化衬底上的介质材料的工艺，包括：(a)将介质材料施加到所述衬底的表面；和(b)在足以固化介质材料成膜的条件下，将所述介质材料对电子束辐射曝光。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||