互补双极晶体管及其制造方法

摘要

有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

主权项

1.一种横向双极晶体管，其包括：第一导电类型的半导体层；在该半导体层中形成的第一导电类型的第一桶形层，具有高于该半导体层的杂质浓度；在该半导体层中形成的第二导电类型的集电区，其中该集电区与第一桶形层分离，并且围绕第一桶形层；以及在第一桶形层中形成的第二导电类型的发射区。