非着陆介层窗的制造方法

摘要

一种非着陆介层窗的制造方法。此方法为在金属导线的侧壁上形成间隙壁，而且间隙壁的材质和金属层间介电层具有很好的去除选择比。如此当去除部份的金属层间介电层要形成非着陆介层窗时，即使稍微有些对准偏差时，间隙壁可以保护基底不被蚀刻。另一方面因为金属导线的上方并没有任何保护，所以可以轻易的暴露出其表面，不影响后续和填入于非着陆介层窗内的导电插塞之电性连接。另一方面，由于间隙壁的形状缘故，在金属导线的上端没有突出结构，所以可增加介电质的阶梯覆盖能力。

主权项

1.一种非着陆介层窗的制造方法,可应用于一基底上,该基底至少具有一金属导线层,该方法包括:形成一间隙壁于该金属导线层的侧壁上;形成一介电层于该基底上;以及形成一介层窗于该介电层中,暴露出部份该金属导线层。2.如申请专利范围第1项所述之非着陆介层窗的制造方法,其中该间隙壁与该介电层具有很好的去除选择比。3.一种非着陆介层窗的制造方法,可应用于一基底上,该基底至少具有一金属导线层,该方法包括:形成一去除终止层于该基底上;对该去除终止层进行非等向性蚀刻法,形成一间隙壁于该金属导线层的侧壁上;形成一介电层于该基底上;以及形成一介层窗于该介电层中,暴露出部份该金属导线层。4.如申请专利范围第3项所述之非着陆介层窗的制造方法,其中该去除终止层与该介电层具有很好的去除选择比。5.一种导线的结构,应用于一基底上,该结构包括:一导线层位于该基底上;一间隙壁位于该导线层的侧壁上;一介电层位于该基底上;以及一介层窗插塞位于该介电层中,暴露出部份该导线层的上表面。6.如申请专利范围第5项所述之导线的结构,其中该间隙壁与该介电层具有很好的去除选择比。7.如申请专利范围第5项所述之导线的结构,其中该间隙壁的材质包括富矽氧化物。8.如申请专利范围第5项所述之导线的结构,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。9.如申请专利范围第5项所述之导线的结构,其中该介电层的材质包括二氧化矽。图式简单说明:第一图A是着陆介层窗的俯视图;第一图B是非着陆介层窗的俯视图;第二图是习知一种非着陆介层窗的剖面图;第三图是习知另一种非着陆介层窗的剖面图;第四图系绘示金属层间介电层内部孔洞所造成的影响之示意图;以及第五图A-第五图C系绘示依照本发明一较佳实施例的一种非着陆介层窗的制造流程剖面图。