| 主权项 |
1.一种积体半导体电路,特别是半导体记忆体配置,其可操作在不同之操作模式中且具有一种在这些操作模式之间切换所用之元件,此切换元件具有至少一种至少可在半导体电路之已加外壳之状态中断开之熔丝单元,其特征为:此熔丝单元可藉由〞熔丝软设定(Fuse Soft Set)〞而被程式化,其亦可在积体半导体电路之晶圆平面上断开且可藉由可程式化之熔丝软设定而使已断开之状态复原。2.如申请专利范围第1项之积体半导体电路,其中须设立该切换元件,使其在适当之已程式化之熔丝软设定时不须切断熔丝单元即可设定此半导体电路之对应于其切断状态之操作模式。3.如申请专利范围第1或第2项之积体半导体电路,其中须设立此切换元件,使此积体半导体电路在熔丝单元切断时在积体半导体电路封装至外壳中之前处于正常操作模式中。4.如申请专利范围第1或2项之积体半导体电路,其中须设立此切换元件,使此积体半导体电路在已加外壳之状态中方可在熔丝单元处于切断状态时藉由熔丝单元之熔丝软设定-程式化而在不同之操作模式中切换。5.如申请专利范围第1项之积体半导体电路,其中须设立此切换元件,使积体半导体电路在晶圆平面上直接在制成之后在电源电压起动时自动切换至非正常操作模式中。6.如申请专利范围第5项之积体半导体电路,其中该切换元件藉由熔丝单元之适当之熔丝软设定-程式化来选取该非正常操作模式。7.如申请专利范围第5项之积体半导体电路,其中该切换元件选取该非正常操作模式而不需使熔丝单元进行熔丝软设定-程式化。8.如申请专利范围第1或第2项之积体半导体电路,其中设立此种藉由熔丝软设定而程式化之熔丝单元以便储存且读出其资讯(〞原値(default)〞或〞断开〞)。9.一种积体半导体记忆体配置之操作方法,其中藉由一个配置在积体半导体记忆体配置中之切换元件(其具有至少一个可断开之可由熔丝软设定(Fuse Soft Set)所程式化之熔丝单元)而在半导体记忆体配置之不同之操作模式中切换,其中此熔丝单元在晶圆平面上断开且在熔丝单元断开时此半导体记忆体配置切换至正常操作模式。10.如申请专利范围第9项之操作方法,其中设有另一步骤,其直接在积体半导体记忆体配置被制成之后在电源电压起动时使积体半导体记忆体配置自动切换至一种非正常操作模式中。11.如申请专利范围第10项之操作方法,其中储存此熔丝单元之资讯且直接在"Power-Up-Acquisition"之后读出。12.如申请专利范围第9至11项中任一项之操作方法,其中此积体半导体记忆体配置之前端测试是在熔丝单元之未断开之状态中进行。图式简单说明:第1A图 处于顾客模式(模式1)中之晶片1,其具有不同之衬垫2及所属之接触线3。第1B图 处于模式2中之晶片1。第1C图 加上外壳后之晶片1,此时晶片工只能处在模式1中。第2A图 藉由适当之接触线(例如,针卡)之控制,在晶片中选取一种不同于正常模式之操作模式(例如,模式2)。第2B图 已加上外壳之晶片,其已成为模组10。 |
