| 主权项 |
1.一种发光二极体,包括 一基板; 一半导体层,配置于该基板上; 多个电极,配置于该半导体层上; 一保护层,配置于该半导体层上,其中该保护层具 有多个开口,以将该些电极暴露; 多个球底金属层,配置于该些电极上;以及 一光反射层,配置于该保护层上,其中该光反射层 与该些电极、该些球底金属层电性绝缘。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,更包括 多个凸块,配置于该些球底金属层上。 3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体,其中该 些球底金属层之材质与该光反射层之材质相同。 4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体,其中该 些球底金属层与该光反射层之材质为金、银或钛/ 钨。 5.一种发光二极体制程,其步骤包括: 提供一发光二极体晶片,其中该发光二极体晶片具 有多个电极以及一保护层,且该保护层具有多个开 口以将该些电极暴露; 于该保护层上形成一导电层;以及 将该导电层图案化,以形成多个球底金属层以及一 光反射层,其中该些球底金属层位于该些电极上, 且该些电极以及该些球底金属层皆与该光反射层 电性绝缘。 6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体制程,其 中该导电层的形成方法包括溅镀。 7.如申请专利范围第5项所述之发光二极体制程,更 包括分别于每一该些球底金属层上形成一凸块。 8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体制程,其 中该些凸块的形成方法包括电镀或印刷。 图式简单说明: 图1A~图1B绘示为本发明实施例之发光二极体制程 示意图。 图2A~图2B绘示为图案化后之导电层的上视示意图 。 图3绘示为发光二极体与承载基板之组合示意图。 |
