发明名称 | 陶瓷膜片结构的制造方法 | ||
摘要 | 一种陶瓷膜片结构的制造方法,包括:在具有至少一个窗口部位和至少一层的陶瓷生坯基片上叠置具有至少一层的陶瓷生坯薄片,以便覆盖窗口部位,获得单一的叠层体;烧结该单一的叠层体,以使膜片部分具有向窗口部位相反一侧的突出。 | ||
申请公布号 | CN1176499A | 申请公布日期 | 1998.03.18 |
申请号 | CN97114872.4 | 申请日期 | 1997.06.14 |
申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 武内幸久;七泷努;竹内胜久 |
分类号 | H01L41/187 | 主分类号 | H01L41/187 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠;萧掬昌 |
主权项 | 1、一种陶瓷膜片结构的制造方法,包括:在具有至少一个窗口部位和至少一层的陶瓷生坯基片上叠置具有至少一层的陶瓷生坯薄片,以便覆盖窗口部位,获得单一的叠层体;烧结该单一的叠层体,以使膜片部分具有向窗口部位相反一侧的突出;其中,陶瓷生坯基片和陶瓷生坯薄片满足:<1>S(基片)-S(薄片)≥-0.08{T<sub>70</sub>(基片)-T<sub>70</sub>薄片)}-1<2>0≤T<sub>70</sub>基片)-T<sub>70</sub>(薄片)≤300<3>S(基片)-S(薄片)≤20(S(基片),S(薄片)分别代表陶瓷生坯基片和陶瓷生坯薄片的收缩率(%),T<sub>70</sub>(基片)和T<sub>70</sub>(薄片)分别代表陶瓷生坯基片和陶瓷生坯薄片的中间烧结温度(℃))而且,如下式所示的陶瓷生坯基片的平均烧结温度差大于零<img file="A9711487200021.GIF" wi="587" he="106" />(N代表构成陶瓷生坯基片的层数。T<sub>70</sub>(基片)<sub>n</sub>代表从其上具有陶瓷生坯薄片的陶瓷生坯基片中的叠层体底部起位于第n层的中间烧结温度(℃)。t<sub>n</sub>和t<sub>n+1</sub>分别代表烧结单一的叠层体之后,从第n层的下表面和上表面到基片中心线的距离,对于中心线之下的表面设置-,对于中心线之上的表面设置+)。 | ||
地址 | 日本爱知县 |