PROCEDIMIENTO DE PLANARIZACION DE TOPOLOGIAS EN ESTRUCTURAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

摘要

SE EXPONE UN METODO PARA HACER UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITOS INTEGRADOS MUY PLANA QUE TIENE DEPOSITADAS PARTES DE OXIDO PLANAS CON RESPECTO AL NIVEL DE PARTES ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA DEL CIRCUITO INTEGRADO, QUE COMPRENDE: DEPOSITAR, SOBRE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO QUE TIENE UNAS PRIMERAS PARTES A ALTURA SUPERIOR QUE EL RESTO DE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INEGRADO, UNA CAPA DE OXIDO CONFORMADO QUE TIENE UN GROSOR QUE EXCEDE LA ALTURA DE LAS CITADAS PRIMERAS PARTES POR ENCIMA DEL RESTO DE LA ESTRUCTURA DEL CIRCUITO INTEGRADO; FORMAR UNA CAPA DE MASCARA CON PATRON SOBRE LA CITADA CAPA DE OXIDO DEPOSITADA CON UNA O MAS APERTURAS EN ESTA A NIVEL CON LAS PRIMERAS PARTES DE ALTURA SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA DE CICUITO INTEGRADO; ATACAR QUIMICAMENTE PARTES EXPUESTAS DE LA CITADA CAPA DE OXIDO CONFORMADO A TRAVES DE LOS ORIFICIOS DE LA MASCARA HASTA UN NIVEL APROXIMADAMENTE IGUAL A UN NIVEL DE LA PARTE NO EXPUESTA DE LA CAPA DE OXIDO CONFORMADO ; RETIRAR LA CAPA DE MASCAR; Y PULIMENTAR LACAPA DE OXIDO PARA ELIMINAR LAS PARTES ELEVADAS DE LA CAPA DE OXIDO CONFORMADO QUE SOBRESALGAN DESPUES DE LA OPERACION DE ATAQUE PAR FORMAR UNA ESTRUCTURA MUY PLANA. OPCIONALMENTE, LA CAPA DE OXIDO PUEDE ATACARSE ADEMAS ANISOTROPICAMENTE HASTA QUE SE EXPONGAN LAS SUPERFICIES SUPERIORES DE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO INFERIOR