Verfahren zum selektiven epitaxialen Wachstum und Ätzen von III-V oder II-VI-Halbleitern in demselben Wachstumsapparat,申请号DE19916028678-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zum selektiven epitaxialen Wachstum und Ätzen von III-V oder II-VI-Halbleitern in demselben Wachstumsapparat
摘要
申请公布号	DE69128678(D1)	申请公布日期	1998.02.19
申请号	DE19916028678	申请日期	1991.09.18
申请人	FRANCE TELECOM, ISSY LES MOULINEAUX, FR	发明人	AZOULAY, ROSETTE, F-92260 FONTENAY AUX ROSES, FR;DUGRAND, LOUIS, F-77500 CHELLES, FR
分类号	H01L21/205;H01L21/20;H01L21/36;(IPC1-7):H01L21/20	主分类号	H01L21/205
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