| 主权项 |
1.一种省电型振荡器,包括有:一反相电路,包括有一PMOS电晶体与一NMOS电晶体,其中PMOS电晶体的汲极与NMOS电晶体的汲极相连,形成反相器的输出端节点,且该POMS电晶体的闸极与NMOS电晶体的闸极相连,形成反相电路的输入端节点;一回授电路,连接在该反相电路之输出节点与输入节点之间;两个电容,其一端接地,另一端则分别连接在反相电路的输入端与输出端;一石英振荡晶体,连接在该反相电路的输入端与输出端之间;两组串联电阻,其中一组系串联连接在该反相电路之PMOS电晶体源极端再接至VDD电源端,而另一组系串联连接在NMOS电晶体源极端再接地,以在反相电路之电晶体动作时,用来限制流过该反相电路之电流。2.如申请专利范围第1项之省电型振荡器,其更包括有一组切换控制电晶体,其中一控制电晶体与串联在反相电路之PMOS电晶体源极之电阻并联,而另一控制电晶体与串联在反相电路之NMOS电晶体源极之电阻并联,在一组互补控制讯号之控制之下,分别控制其电晶体之导通与截止,进而控制其并联电阻之限流功能。3.如申请专利范围第1项之省电型振荡器,其更包括有一输出级反相电路,其输入端系连接至该反相电路之输出节点,而输出端即作为该振荡电路之振荡信号输出端,用以使该振荡电路输出之振荡波形,变成近似方波之振荡信号。4.如申请专利范围第3项之省电型振荡器,其中该输出级反相电路系由一PMOS电晶体与一NMOS电晶体组成,其中PMOS电晶体的源级接至电源端VDD,而NMOS电晶体的源极接地,其反相电路的输出端即是作为整个振荡器的输出端。5.如申请专利范围第1项之省电型振荡器,其中该回授电阻系一高阻抗之回授电阻,其系由一PMOS电晶体与一NMOS电晶体对接而成,其中之PMOS电晶体的闸极接地,NOMS电晶体的闸极接至电源端VDD,此结构造成一高阻抗的通道装置,作为该振荡电路之回授电阻。图示简单说明:第一图系显示习用振荡电路之电路图;第二图系显示本创作振荡电路之电路图;第三A图系显示快速起振模式时之电流波形;第三B图系显示本创作在省电模式下之电流波形;第三C图系显示输出电压之电压波形。 |
