| 主权项 |
1.一种微影光阻检测图案之制造方法,至少包括下列步骤:a.在一矽基底之上表面涂布一光阻层;b.提供一包括布局图案区与外部图案区的光罩,其中该外部图案区至少具有一光阻检测图案区,其至少包括一低透光率区域、一完全透光区域及一完全不透光区域;c.以一适当的曝光剂量,经由该光罩对光阻层实施曝光,至少使得该光阻层对应于该光阻检测图案区之低透光率区域的部份得到一较低的曝光剂量;以及d.对该光阻层实施显影,用以同时形成布局图案与光阻检测图案;其中,该较低曝光剂量使得该光阻层对应于该光阻检测图案区之低透光率区域的部份,于该显影步骤时溶于一显影液。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法更包括以一光学仪器检测该光阻检测图案,用以确定该光阻层图案的转移是否正确。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该光学仪器系一光学显微镜。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该光学仪器系一扫描式电子显微镜。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中系以一投影式曝光法,对该光阻层实施曝光。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中系以一步进曝光机,实施该投影式曝光法。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该布局图案区系一积体电路元件及线路布局图案区。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该外部图案区系一切割道区。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该低透光率区域系在该光罩上,镀上一硼磷矽玻璃薄膜。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该低透光率区域系在该光罩上,镀上一铬金属薄膜。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该低透光率区域系在该光罩上,制作小于实施该(c)步骤之曝光系统解像力的细微图形。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该细微图形系一系列间距极小的平行光栅图形。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层系一正型光阻层。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层系一负型光阻层。15.一种微影EM光阻 检测图案之光罩,至少包括:一布局图案区;以及一外部图案区,至少具有一光阻检测图案区,其至少包括一低透光率区域、一完全透光区域及一完全不透光区域;藉此,以一光源经该光罩对一光阻层实施曝光,使得该光阻层于显影后形成布局图案与光阻检测图案,其中该光阻检测图案提供于一光学仪器检测之用。16.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该布局图案区系一积体电路元件及线路布局图案区。17.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该外部图案区系一切割道区。18.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该低透光率区域系在该光罩上,镀上一硼磷矽玻璃薄膜。19.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该低透光率区域系在该光罩上,镀上一铬金属薄膜。20.如申请专利范围第15项所述之光罩,其中该低透光率区域系在该光罩上,制作小于实施该曝光步骤之曝光系统解像力的细微图形。21.如申请专利范围第20项所述之EM光罩 ,其中该细微图形系一系列间距极小的平行光栅图形。图示简单说明:第一A图至第一D图是一种习知光阻检测图案之制造流程图;第二A图是一种正型光阻显影后残留厚度与曝光剂量之关系图;第二B图是一种负型光阻显影后残留厚度与曝光剂量之关系图;第三A图至第三C图是依照本发明一较佳实施例的一种光阻检测图案之制造流程图;第四图是一系列间距极小的平行光栅图形所组成的光罩部份图;以及第五图是依照本发明较佳实施例利用单一小晶方的光罩重复曝光后矽晶圆之俯视图。 |
