| 发明名称 | 一种制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制造半导体器件的方法。在硅衬底上面形成下面金属层，在下面金属层上形成第1层间绝缘层。在包含下面金属层的第1层间绝缘层上形成第1绝缘层，利用N<SUB>2</SUB>和N<SUB>2</SUB>O等离子除掉包含在第1绝缘层中的水分。因此，在第1绝缘层上依次地形成SOG层和第2绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN1160928A | 申请公布日期 | 1997.10.01 |
| 申请号 | CN96123921.2 | 申请日期 | 1996.12.23 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 辛东善;李正来 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在硅衬底上面形成第1层间绝缘层，在所述第1层间绝缘层上面形成下面金属层；在包含所述下面金属层的所述第1层间绝缘层上面形成第1绝缘层；利用等离子除掉包含在所述第1绝缘层中的水分；依次形成SOG层和第2绝缘层；在所述第2绝缘层上面形成上面金属层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||