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发明名称 METHOD OF FORMING SHALLOW JUNCTION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号 JPH09171969(A) 申请公布日期 1997.06.30
申请号 JP19960301727 申请日期 1996.11.13
申请人 GENDAI DENSHI SANGYO KK 发明人 BOKU HOHIYUN
分类号 H01L21/28;H01L21/265;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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