| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置,包括复数个记忆区块,其中每一个均具有复数个形成于半导体基板上之记忆单元,每一个记忆单元均具有至少一个具浮动闸极与控制闸极之记忆电晶体,一与该复数个记忆区块相连接之区块选择电路,其系用以选择一选定记忆区块中记忆电晶体之控制闸极,而确认消除或规画资料后于确认模式下之记忆电晶体,以及一重覆决定装置,其系用以因应该区块选择电路所产生之控制讯号而提供一参考或预定电压予于消除确认模式下连接至该记忆电晶体汲极之位元线,或提供一预定电压予于规画确认模式下该选定区块内记忆单元之控制闸极,并于每一次消除与规画确认终了时侦测该提供至位元线之电压,以决定是否重覆该消除与规画模式。2.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于该预定电压大于零以消除一单元,致使该被消除单元之临界电压维持为负値,而该被规画单元之临界电压则维持为正値。3.如申请专利范围第2项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于该单元之临界电压维持为正値后,以该临界电压使一选定单元规画。4.如申请专利范围第3项之非挥发性半导体记忆装置,其特征在于侦测该单元之临界电压,以于利用该临界电压规画后读取多重资料。图示简单说明:图1绘示传统记忆单元与其等效电路之切面图;图2绘示传统非挥发性半导体记忆体之消除动作流程图;图3绘示根据本发明非挥发性半导体记忆装置之示意电路图;图4绘示具发明性非挥发性半导体记忆体之消除动作流程图;图5绘示具发明性与传统挥发性半导体记忆装置之临界电压比较图;图6绘示具发明性与传统非挥发性半导体记忆体于规画确认与资料读取中所感应到之临界电压比较图;以及图7绘示具发明性非挥发性半导体记忆体之消除与规画确认时序图。 |
