| 发明名称 | 多弧—磁控溅射真空离子镀金设备 | ||
| 摘要 | 一种多弧—磁控溅射真空离子镀金设备，它有一个镀膜室，镀膜室上接有真空抽气系统，在镀膜室的中间装有旋转工件架，在镀膜室的一侧装有若干个用钛块作为靶材的多弧阴极蒸发器，在镀膜室的另一侧装有若干个平面磁控溅射靶，平面磁控溅射靶上装有黄金溅射材料，从而形成两个相互独立的沉积区，所述的多弧阴极蒸发器和平面磁控溅射靶分别与电源电器控制柜相连接，当工件反复通过两个沉积区时，即可在其上有序的沉积TiN和Au镀层。 | ||
| 申请公布号 | CN2254448Y | 申请公布日期 | 1997.05.21 |
| 申请号 | CN96225392.8 | 申请日期 | 1996.02.07 |
| 申请人 | 郑德恩 | 发明人 | 郑德恩;侯梦斌;张学林 |
| 分类号 | C23C14/35 | 主分类号 | C23C14/35 |
| 代理机构 | 锦州市专利事务所 | 代理人 | 陈明 |
| 主权项 | 1、一种多弧—磁控溅射真空离子镀金设备，它有一个镀膜室(11)，镀膜室(11)上接有真空抽气系统(18)，在镀膜室(11)的中间装有旋转工件架(10)，在镀膜室(11)的一侧装有若干个用钛块(12)作为靶材的多弧阴极蒸发器(13)，多弧阴极蒸发器(13)与电源电器控制柜(1)相连接，其特征在于，在镀膜室(11)的另一侧装有若干个平面磁控溅射靶(3)，在平面磁控溅射靶(3)上装有黄金溅射材料(4)，平面磁控溅射靶(3)与电源电器控制柜(1)相连接。 | ||
| 地址 | 121017辽宁省锦州市解放东路18号锦州市棉麻公司仓库院内 | ||