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发明名称 Magnetic field enhanced plasma etch reactor
摘要
申请公布号 EP0566220(B1) 申请公布日期 1997.04.02
申请号 EP19930201991 申请日期 1987.12.18
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 CHENG, DAVID;MAYDAN, DAN;SOMEKH, SASSON;STALDER, KENNETH R.;ANDREWS, DANA L.;CHANG, MEI;WHITE, JOHN M.;WONG, JERRY YUEN KUI;ZEITLIN, VLADIMIR J.;WANG, DAVID NIN-KOU
分类号 H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/302;C23F4/00;H01J37/32;(IPC1-7):H01J37/32;C23C16/50;H01L21/306 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
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