发明名称 Verfahren und Vorrichtung zur Plasmaerzeugung und Verfahren zur Halbleiter-Bearbeitung
摘要
申请公布号 DE69306007(D1) 申请公布日期 1997.01.02
申请号 DE19936006007 申请日期 1993.01.26
申请人 HITACHI, LTD., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 KAKEHI, YUTAKA, HIKARI-SHI, YAMAGUCHI 743, JP;KAWASAKI, YOSHINAO, KUMAGE-GUN, YAMAGUCHI 745-06, JP;SUZUKI, KEIZO, KODAIRA-SHI, TOKYO 187, JP;NOJIRI, KAZUO, HIGASHIMURAYAMA-SHI, TOKYO 189, JP;ENAMI, HIROMICHI, TACHIKAWA-SHI, TOKYO 190, JP;KAJI, TETSUNORI, TOKUYAMA-SHI, YAMAGUCHI 745, JP;WATANABE, SEIICHI, KUDAMATSU-SHI, YAMAGUCHI 744, JP;OGAWA, YOSHIFUMI, KUDAMATSU-SHI, YAMAGUCHI 744, JP
分类号 C23C16/511;H01J37/32;(IPC1-7):C23C16/50 主分类号 C23C16/511
代理机构 代理人
主权项
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