发明名称 | 非易失性半导体存储器件中的自动编程电路 | ||
摘要 | 在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器,包括产生编程电压的高压发生器,用于检测每当所选择的存储器单元未被成功地编程时,在预定的电压范围内,顺序地增加编程电压的电平的微调电路,用于将所检测的电压电平与参考电平比较,然后产生比较信号的比较电路,和用于响应比较信号起动高压发生器的高压发生控制电路。 | ||
申请公布号 | CN1139276A | 申请公布日期 | 1997.01.01 |
申请号 | CN95117154.2 | 申请日期 | 1995.09.08 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金镇棋;林亨圭;李城秀 |
分类号 | G11C14/00 | 主分类号 | G11C14/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;萧掬昌 |
主权项 | 1.在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器,有许多浮动栅型存储器单元,用于对所选择的存储单元进行编程的编程装置,和用于检验所述的被选择的存储单元是否成功地被编程的程序验证装置,所述自动编程电压发生器包括:高压发生器,用于产生编程电压;微调电路,用于检测所述编程电压,以便每当所述的被选择的存储单元未成功地被编程时,在预定的电压范围内顺序地增加所述编程电压,比较电路,用于把所述的被检测电压电平与参考电压进行比较,然后产生比较信号;和高压发生控制电路,用于起动所述高压发生器,以响应所述比较信号。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市 |