Verbesserung zur Schichtbildung auf einem Substrat durch Sputtern,申请号DE19916022578-传众专利搜索

发明名称	Verbesserung zur Schichtbildung auf einem Substrat durch Sputtern
摘要
申请公布号	DE69122578(D1)	申请公布日期	1996.11.14
申请号	DE19916022578	申请日期	1991.07.09
申请人	SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	KASHIDA, MEGURU, ANNAKA-SHI, GUNMA-KEN, JP;NAGATA, YOSHIHIKO, ANNAKA-SHI, GUNMA-KEN, JP;NOGUCHI, HITOSHI, ANNAKA-SHI, GUNMA-KEN, JP
分类号	C23C14/56;C23C14/06;C23C14/34;H01J37/34;H01L21/203;H01L21/31;H01L21/3205;(IPC1-7):H01J37/34	主分类号	C23C14/56
代理机构		代理人
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