| 主权项 |
2. 如申请专利范围第一项所述之金属氧化物半导 体偏压 电路,其中该欲被偏压之金属氧化物半导体之汲极 与该接 地点间接一负载。3. 如申请专利范围第一项所述 之金属氧化物半导体偏压 电路,其中该第一电阻系一定値电阻。4. 如申请专 利范围第一项所述之金属氧化物半导体偏压 电路,其中该偏压建立装置包括一电阻。5. 如申请 专利范围第四项所述之金属氧化物半导体偏压 电路,其中该电阻系一可变电阻,用以调整该直线 性关系 之斜率。6. 如申请专利范围第四项所述之金属氧 化物半导体偏压 电路,其中该偏压建立装置更包括三个电连接之金 属氧化 物半导体以建立该被偏压金属氧化物半导体之源 极及闸极 间之部分电压。7. 如申请专利范围第一项所述之 金属氧化物半导体偏压 电路,更可适度补偿因制程影响而偏移之欲被偏压 金属氧 化物半导体之输出电流。8. 如申请专利范围第一 项所述之金属氧化物半导体偏压 电路,其中该第一电阻系电连接于该偏压装置及一 接地点 间。图示简单说明: 第一图系习用之D/A偏压电路。 第二图系改良偏压电路。 第三图系实际应用电路。 第四图系习用偏压电路及金属氧化物半导体偏压 电路使用 |
