发明名称 电浆处理装置
摘要 本发明系关于一种使用电浆来施行所定之处理的电浆处理装置。本发明之目的系在于提供一种在高频感应方式中可提高被处理面附近之电浆密度之均等性,具有优异电浆处理之均等性及再现性的电浆处理装置。揭示一种电浆处理装置,而其特征为:具备插入有半导体晶圆的小室,及在小室内导入处理气体的处理气体导入管,及经由绝缘体而设于相对向在上述小室外侧之上述被处理体之部分,藉供给高频电俾在被处理体近旁形成感应电场的天线,以及,至少其一部分配置成与天线相重叠的顺磁性体金属所构成之材料者。
申请公布号 TW288251 申请公布日期 1996.10.11
申请号 TW083100389 申请日期 1994.01.18
申请人 发明人 石井信雄
分类号 H05H1/00 主分类号 H05H1/00
代理机构 代理人
主权项 1. 一种电浆处理装置,而其特征为:具备插入有被处理体的小室,及在小室内导入处理气体的处理气体导入机构,及经由绝缘体而设于相对向在上述小室外侧之上述被处理体之部分,藉供给高频电俾在被处理体近旁形成感应电场的至少两件感应构件,上述至少两件感应构件系均形成单一环形,而这些为配设成同心状者。2. 如申请专利范围第1项所述之电浆处理装置,其中,上述至少两件感应构件系独立地控制所供给之高频电者。3. 如申请专利范围第1项所述之电浆处理装置,其中,上述气体导入机构系设于上述小室之上壁,且具有由绝缘体所成之本体,及气体导入口,及多数之气体排出口者。4. 如申请专利范围第1项所述之电浆处理装置,其中,又具有将高频偏压施加于被处理体之高频施加机构者。5. 一种电浆处理装置,而其特征为:具备插入有被处理体的小室,及在小室内导入处理气体的处理气体导入机构,及经由绝缘体而设于相对向在上述小室外侧之上述被处理体之部分,藉供给高频电俾在被处理体近旁形成感应电场的两件感应构件,上述两件感应构件系分别形成单一环形及螺线形,而这些为配设成同心状者。6. 如申请专利范围第5项所述之电浆处理装置,其中,上述两件感应构件系独立地控制所供给之高频电者。7. 如申请专利范围第5项所述之电浆处理装置,其中,上述气体导入机构系设于上述小室之上壁,且具有由绝缘体所成之本体,及气体导入口,及多数之气体排出口者。8. 如申请专利范围第5项所述之电浆处理装置,其中,又具有将高频偏压施加于被处理体之高频施加机构者。9. 一种电浆处理装置,而其特征为:具备插入有被处理体的小室,及在小室内导入处理气体的处理气体导入机构,及经由绝缘体而设于相对向在上述小室外侧之上述被处理体之部分,藉供给高频电俾在被处理体近旁形成感应电场的两件感应构件,上述两件感应构件系均形成螺线形,而这些为配设成同心状者。10. 如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,其中,上述两件感应构件系独立地控制所供给之高频电者。11. 如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,其中,上述气体导入机构系设于上述小室之上壁,且具有由绝缘体所成之本体,及气体导入口,及多数之气体排出口者。12. 如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,其中,又具有将高频偏压施加于被处理体之高频施加机构者。13. 一种电浆处理装置,而其特征为:具备插入有被处理体的小室,及在小室内导入处理气体的处理气体导入机构,及经由绝缘体而设于相对向在上述小室外侧之上述被处理体之部分,藉供给高频电俾在被处理体近旁形成感应电场的感应构件,及配设于上述小室外侧之上述感应构件近旁的磁性构件等。14. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述磁性构件系以软性铁氧磁体所构成者。15. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述磁性构件系随着欲得到之电浆密度分布来调节厚度者。16. 如申请专利范围第15项所述之电浆处理装置,其中,上述磁性构件系构成外周部较厚而中央部较薄者。17. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述磁性构件系以与其被处理体面平行之面所切剖之剖面的剖面积形成大于上述被处理体之处理面的面积者。18. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述磁性构件系其厚度可忽视藉施加于上述感应构件之高频电流所激励之反磁场的影响之程度者。19. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述气体导入机构系设于上述小室之上壁,且具有由绝缘体所成之本体,及气体导入口,及多数之气体排出口者。20. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,又具有将高频偏压施加于被处理体之高频施加机构者。21. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述感应构件系形成单一环形者。22. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,上述感应构件系具有同心状地设置之两件单一环形构件者。23. 如申请专利范围第22项所述之电浆处理装置,其中,上述两件单一环形构件系独立地控制所供给之高频电者。24. 如申请专利范围第13项所述之电浆处理装置,其中,又具备将控制形成于上述小室内之电浆的磁场加以形成所用的磁场形成机构者。图示简单说明:第1图系表示本发明之第1态样之电浆处理装置的斜视图,第2图系表示本发明之第1态样之电浆处理装置的剖面图,第3图系表示作为被处理体之半导体晶圆面上的电浆密度分布图,第4图系表示作为第1态样之感应构件之一例子之单一环形天线的模式图,第5图系表示作为第1态样之感应构件之一例子的切除中央部之形状之螺线形天线的模式图,第6图系表示作为第2态样之感应构件之一例子的切除中央部之形状之螺线形天线的模式图,第7图系表示作为第2态样之感应构件之一例子的在半径方向变化天线导体之节距之螺线形天线的模式图,第8图系表示作为第3态样之感应构件之一例子的双重环形天线的模式图,第9图系表示作为第3态样之感应构件之一例子的同心状地配置两个螺线形天线之天线的模式图,第10图系表示作为第3态样之感应构件之一例子的同心状地配置螺线形天线与环形天线之天线的模式图,第11图系表示本发明之第4态样之电浆处理装置的剖面图,第12图系表示本发明之第4态样之电浆处理装置的平面图,第13图系表示使用于表示在第11图之装置之磁场形成机构之一例子的模式图,第14图至第16图系表示第4态样之磁性构件之其他例的说明图,第17图,第18图系表示第4态样之感应构件之其他例的说明图,第19A图至第19C图系分别表示用以将处理气体导入至小室内所用之莲蓬头的斜视图,背面图,剖面图,第20图,第21图系表示感应构件之变形例的模式图,第22图系表示使用感应构件之其他电浆处理装置的剖面图,第23图系表示第22图之装置之电浆发生部的斜视图,第24图系表示第22图之装置之电浆发生部的水平剖面图,第25图,第26图系表示从第22图之装置之第1供气管对小室内之供气机构之其他例的剖面图,第27图系表示第22图之装置之变形例的剖面图
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