| 主权项 |
1. 一种铁电电容器混杂结构,其系包括一种具有经处理之矽化合物表面和至少一个生长于该表面上之结晶铁电材料层,其特征在一生长于该表面之金属层提供该混杂结构导电性且具有金属氧化层生长于其上形成该铁电层之混成电容器电极底材。2. 根据申请专利范围第1项之结构,其特征在该矽化合物系选自由二氧化矽和氮化矽所组成之族群且以一种选自由钛、钽和二氧化钛所组成之化合物处理。3. 根据申请专利范围第1项之结构,其特征在该金属层基本上由铂所组成。4. 根据申请专利范围第1项之结构,其特征在该金属氧化层系包括之一种选自由氧化镧锶钴、氧化镧锶铬、氧化钌和氧化锶钌所组成之多晶生长的材料。5. 根据申请专利范围第1项之结构,其特征在该铁电层系包括一种选自由钛酸铅镧锆、钛酸钡、钛酸钡锶、钛酸铅、钛酸铋、钽酸铋锶、铌酸铋锶和钽酸盐铌酸钾所组成之多晶生长的材料。6. 根据申请专利范围第4项之结构,其特征在该铁电层材料系包括1%至10%选自由镧和铌所组成之族群的材料。7. 一种制备铁电电容器混杂结构之方法,其系包括在具有经处理之矽化合物表面层之矽底材上形成至少一结晶性铁电材料。8. 根据申请专利范围第7项之方法,其特征在该矽化合物系以选自由钛、钽、二氧化钛所成组成之族群及该金属层基本上由铂所组成,其特征在于该表面生长一金属层以提供该混杂结构导电性且具有金属氧化层生长于该金属层上以随后形成该铁电层之混成电容器电极底材。9.根据申请专利范围第7项之方法,其特征在该金属氧化物层系藉由选自由氧化镧锶钴、氧化镧锶铬、氧化钌和氧化锶钌所组成之多晶生长的材料所形成。10. 根据申请专利范围第7项之方法,其特征在该铁电层系由于该金属氧化物层之多晶生长所形成。11. 根据申请专利范围第10项之方法,其特征在该铁电层之材料系选自由钛酸铅镧锆、钛酸钡、钛酸钡锶钛酸铅、钛酸铋、钽酸铋锶、铌酸铋锶和钽酸铌酸钾所组成之族群。12. 根据申请专利范围第10项之方法,其特征在该金属氧化物之电极层系生长于该铁电层上。13. 根据申请专利范围第7项之方法,其特征在该铁电层系于约550@bs3到700℃范围之温度生长于该混电容器电极底材上及于约5@bs3到25℃/分钟之速度从该生长温度冷却至操作室温,在包括从约110@su2至110@su5Pa范围之氧分压的气压下。图示简单说明:图1为本发明铁电混杂结构之代表性正视图部份;图2为根据本发明之从Si/SiO@ss2底材上生长所得的高铁电混杂结构之代表性X—射线绕射图示;图3为从无SiO@ss2层上生长所得的弱铁电混杂结构之代表性X—射线绕射图示;图4为从LSCO电极下层生长所得的高铁电混杂结构之代表性X—射线绕射图示;图5为从无LSCO电极下层生长所得的弱铁电混杂结构之代表性X—射线绕射图示;图6为从特征在图2和3之试验混杂结构所得的比较磁滞环曲线图;图7为从特征在图4和5之试验混杂结构所得的比较磁滞环 |
