发明名称 AUTOMATIC SEMICONDUCTOR-SUBSTRATE TREATMENT METHOD
摘要
申请公布号 JPH08138985(A) 申请公布日期 1996.05.31
申请号 JP19940274737 申请日期 1994.11.09
申请人 HITACHI LTD;HITACHI HOKKAI SEMICONDUCTOR LTD 发明人 KANBARA TOSHIHIDE
分类号 H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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