| 主权项 |
1.一种双四象限转角位置侦测元件,其包括: 一第一四象限指向侦测元件,具有第一光侦测元件 对以及 第二光侦测元件对,上述第一光侦测元件对和上述 第二光 侦测元件对之四个感光区域具相同面积,对称地分 置于第 一正方形的四边,其中上述第一光侦测元件对之两 个感光 区域分置于上述第一正方形之对边,可产生第一短 路光电 路,上述第二光侦测元件对之两个感光区域分置于 上述第 一正方形之另一对边,可产生第二短路光电流; 一第二四象限指向侦测元件,具有第三光侦测元件 对以及 第四光侦测元件对,上述第三光侦测元件对和上述 第四光 侦测元件对之四个感光区域具相同面积,对称地分 置于第 二正方形的四边,上述第二正方形与上述第一正方 形具有 相同中心,且大于上述第一正方形,并且上述第一 四象限 指向侦测元件之感光区域与上述第二四象限指向 侦测元件 之感光区域互不重叠,其中上述第三光侦测元件对 之两个 感光区域分置于上述第二正方形之对边,可产生第 三短路 光电流,上述第四光侦测元件对之两个感光区域分 置于上 述第二正方形之对边,可产生第四短路光电流;以 及 一侦测装置,根据上述第一短路光电流、第二短路 光电流 、第三短路光电流、第四短路光电流,侦测影像转 角位置 。2.如申请专利范围第1项所述之双四象限转角位 置侦测元 件,其中,上述侦测装置包括: 一运算装置,计算上述第二短路光电流对上述第一 短路光 电流之比率之反正切値,产生第一角度,并且计算 上述第 四短路光电流对第三短路光电流之比率之反正切 値,产生 第二角度; 以及 一比较装置,将上述第一角度和上述第二角度差额 之绝对 値与一临界角度相比较,若大于上述临界角度,则 表示影 像转角通过上述双四象限转角位置侦测元件。3. 如申请专利范围第1项所述之双四象限转角位置侦 测元 件,其中,上述光侦测元件对包括: 一激发光二极体,其负极接地;以及 一抑制光二极体,其正极接地,其负极和上述激发 光二极 体之正极联接,用以输出上述光侦测元件对之短路 光电流 。4.如申请专利范围第1项所述之双四象限转角位 置侦测元 件,其中,上述第一四象限指向侦测元件和上述第 二四象 限指向侦测元件之感光区域为梯形,且彼此间预留 空隙。5.如申请专利范围第3项所述之双四象限转 角位置侦测元 件,其中,上述激发光二极体和上述抑制光二极体 可制作 于一绝缘基板上,至少包括: 一底部金属层,置于上述绝缘基板上,用以连接各 电极; 一N型非晶矽氢层,置于上述底部金属层上; 一不掺杂非晶矽氢层,置于上述N型非晶矽氢层; 一P型非晶矽氢层,置于上述绝缘型非晶矽氢层; 一透明导电膜,置于上述P型非晶矽氢层;以及 一顶部金属层,置于上述透明导电膜上,用以连接 各电极 。6.如申请专利范围第5项所述之双四象限转角位 置侦测元 件,其中,上述底部金属层系为一铬金属层。7.如申 请专利范围第5项所述之双四象限转角位置侦测元 件,其中,上述透明导电层系为一铟锡氧化层。8.如 申请专利范围第5项所述之双四象限转角位置侦测 元 件,其中,上述顶部金属层系为一铝金属层。9.如申 请专利范围第5项所述之双四象限转角位置侦测元 件,其中,上述绝缘基板系为一玻璃基板。10.如申 请专利范围第5项所述之双四象限转角位置侦测元 件,其中,上述绝缘基板系为一塑胶基板。11.如申 请专利范围第2项所述之双四象限转角位置侦测元 件,其中,上述临界角度由元件尺寸及感光区域间 空隙所 决定。图示简单说明: 第1图为本发明之双四象限转角位置侦测元件之感 光区域 顶视图。 第2图为光侦测元件对之电路图。 第3图为理想化之感光区域在影像边缘通过时之顶 视图。 第4图为实际之感光区域在影像边缘通过时之顶视 图。 第5图为实际之感光区域在影像转角通过时之顶视 图。 第6图为本发明之双四象限转角位置侦测元件之系 统方块 图。 第7图为第1图中延线VII-VII之侧视剖面图。 第8图为一图表,表示以不同倾斜角度之影像边缘 在元件 各相对位置所测得之角度差@ss1-@ss2。 第9图为一图表,表示以不同转角类型在元件各区 域所量 |
