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1. 一种制造式IV化合物之方法, 其中,X是Cl或Br,R@su2是C@ss1—C@ss6烷基,Z是CH@ ss2, 其特征为包括:使式V化合物 其中,R@su2和Z如上定义, 与无水酸于—40至40℃下进行反应。2. 一种制造式 Ⅱ化合物之方法, 其中, Q是 R@su1是H,卤素,OH或C@ss3—C@ss6链炔氧基; R@su2是C@ss1—C@ss6烷基; Z是CH@ss2;而 m是1—3; 当m大于1时,R@su1可相同或分别选自上面所定义的 取代 基; 其特征为包括:于—40℃至80℃且有适当溶剂及无 水接合 剂存在时,令如申请专利范围第1项所定义之式Ⅰ Ⅴ化合 物与以式Ⅲ表示的胼类或其盐类进行反应 @qc Q-NGNH@ss2 @qc Ⅲ3. 一种制造式Ⅰ化合物之方法, 其中Q,Z如申请专利范围第2项定义, 其特征为包括令如申请专利范围第2项所定义之式 Ⅱ化合 物在有或无溶剂和酸触媒存在的情况下,于50至150 ℃的 温度下加热而制得式Ⅰ化合物。4. 如申请专利范 围第3项之方法,其中,Q是Q—1。5. 如申请专利范围 第4项之方法,其中,式Ⅰ化合物选自 包括: 2—[2,4—二氯—5—(2—丙炔氧基)苯基]—5,6,7, 8—四氢—1,2,4—三唑[4,3—a] 啶—3(2H)—酮; 和 2—(2,4—二氯—5—羟苯基)—5,6,7,8—四氢—1,2 ,4—三唑[4,3—a] 啶—3(2H)—酮。6. 一种以式Ⅱ所 示的化合物, 其中, Q是 R@su1是H,卤素,OH或C@ss3—C@ss6链炔氧基; R@su2是C@ss1—C@ss6烷基; Z是CH@ss2;而 m是1—3; 当m大于1时,R@su1可相同或分别选自上面所定义的 取代 基。7. 一种式ⅠⅤ所示的化合物, 其中,X是C(和Br,R@su2是C@ss1—C@ss6烷基,而Z是 |
