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<p>Zur Herstellung eines dotierten Gebietes (2) in einem monokristallinen Halbleitersubstrat (1) wird das Halbleitersubstrat (1) bestrahlt, so daß Atome durch Absorption von Quantenenergie von Kristallgitterplätzen auf Zwischengitterplätze umgeordnet werden. Die dabei frei gewordenen Kristallgitterplätze werden zur Bildung des dotierten Gebietes (2) dann mit Dotierstoff besetzt. Die Tiefe des dotierten Gebietes (2) entspricht der Eindringtiefe der Strahlung.</p> |
