发明名称 Verfahren der Planarisierung von Halbleiterelementen.
摘要
申请公布号 DE68924564(T2) 申请公布日期 1996.03.21
申请号 DE1989624564T 申请日期 1989.06.20
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INC., DALLAS, TEX., US 发明人 SHICHIJO, HISASHI, GARLAND TEXAS 75042, US
分类号 H01L21/302;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/304 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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